[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

开关元件，所述开关元件包括多个氧化物半导体TFT；

气体阻隔膜；

光电转换元件，所述光电转换元件包括具有非晶硅的光电二极管；以及

保护膜，

所述开关元件、所述气体阻隔膜、所述光电转换元件以及所述保护膜在基板上依次层叠；

其中，连接布线配置在覆盖所述光电转换元件的所述保护膜上，并将所述开关元件的漏极电极经由接触孔电连接到所述光电转换元件的一个端子。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，

所述接触孔包括贯穿所述保护膜及所述气体阻隔膜的第一接触孔、以及贯穿所述保护膜的第二接触孔，以及

所述连接布线经由所述第一接触孔连接到所述开关元件的漏极电极，并经由所述第二接触孔连接到所述光电转换元件的所述一个端子。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，

所述保护膜中的与所述第一接触孔有关的通孔的开口面积等于或大于所述气体阻隔膜中的与所述第一接触孔有关的通孔的开口面积。

4.根据权利要求2或3所述的图像传感器，其中，

所述气体阻隔膜中的与所述第一接触孔有关的通孔的内表面与所述连接布线的一部分接触。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的图像传感器，其中，

所述光电转换元件包括在层叠方向上的上部的上部电极，并且包括在所述层叠方向上的下部的下部电极，以及

所述一个端子相当于所述下部电极或所述上部电极。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的图像传感器，其中，

所述氧化物半导体TFT包括在层叠方向上相互分离配置的两个栅极电极。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的图像传感器，其中，

所述气体阻隔膜是有机绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，

所述有机绝缘膜由二甲苯聚合物或二甲苯聚合物的衍生物、丙烯酸树脂或环氧树脂形成。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的图像传感器，其中，

所述气体阻隔膜是无机绝缘膜。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，

所述无机绝缘膜是氮化硅膜或氧化铝膜。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，

所述光电转换元件包括在层叠方向上的上部的上部电极以及在所述层叠方向上的下部的下部电极，

所述一个端子相当于所述下部电极或所述上部电极；

所述气体阻隔膜是无机绝缘膜；以及

所述光电转换元件的所述下部电极被定位成与所述气体阻隔膜接触。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的图像传感器，其中，

所述气体阻隔膜的膜厚等于或大于1μm。

13.一种图像传感器的制造方法，包括如下步骤：

将由氧化物半导体TFT形成的开关元件、气体阻隔膜、以及包括具有非晶硅的光电二极管的光电转换元件按照所述开关元件、所述气体阻隔膜以及所述光电转换元件的顺序层叠在基板上；

形成覆盖所述光电转换元件的保护膜，之后在所述保护膜和所述气体阻隔膜中形成接触孔；以及

在所述保护膜上形成连接布线，并将所述开关元件的漏极电极和所述光电转换元件的一个端子经由所述接触孔电连接。