[发明专利]基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法

说明书

技术领域

发明构思涉及基板减薄装置、通过使用该基板减薄装置而减薄基板的方法、以及制造半导体封装的方法，更具体地，涉及允许以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件的基板减薄装置、通过使用该基板减薄装置而减薄基板的方法、以及制造半导体封装的方法。

背景技术

由于在半导体产品的尺寸减小时对制造更轻、更薄、更短和更小的半导体产品的持续要求，正在尝试和应用满足该要求的若干工艺。通过减薄半导体基板而减小半导体基板的厚度的工艺包括研磨半导体基板的背面的工艺，并且随着半导体基板的目标厚度减小，通常更难以保持半导体器件的可靠性。

发明内容

发明构思提供允许以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件的基板减薄装置。

发明构思还提供减薄基板的方法，该方法允许以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件。

发明构思还提供制造薄的并且具有相当高的可靠性的半导体封装的方法。

根据示例实施方式，基板减薄装置包括：能够支撑或者配置为支撑基板的工作盘；可旋转的研磨装置，包括能够研磨或者配置为研磨被工作盘支撑的基板的轮顶端；以及清洁装置，配置为在研磨装置旋转的同时执行轮顶端的同步清洁。

根据另一示例实施方式，减薄基板的方法包括将基板固定在工作盘上、通过旋转包括轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨基板、以及执行轮顶端的同步清洁。

根据又一示例实施方式，制造半导体封装的方法包括：在基板的有源表面上形成半导体器件；将保护膜附接在基板的有源表面上；将基板固定在工作盘上使得基板的有源表面面对工作盘；通过旋转包括轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨基板；执行轮顶端的同步清洁；将被研磨基板分离为单独的半导体管芯；通过安装单独的半导体管芯而制造半导体封装。

示例实施方式涉及用于研磨基板的方法，该方法包括固定地附接基板到支撑物；通过旋转包括多个轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨基板；多个轮顶端中的至少一个接触基板的至少一部分；以及射出压缩流体到多个轮顶端中的至少一个上，其中射出与至少部分研磨同时被执行。

附图说明

通过结合附图的以下详细说明，发明构思的实施方式将被更清楚地理解，在附图中：

图1是根据实施方式的基板减薄装置的透视图；

图2A和2B是更详细地示出减薄基板的方法的视图，其中图2A是示出通过轮顶端被减薄的基板的透视图，图2B是示出其的侧视图；

图3是紧接着研磨之后或者在研磨之后不久的轮顶端的表面的放大图；

图4是示出当基板被磨轮研磨时磨轮与基板之间的位置关系的平面图；

图5是用于概念性地示出具有非平面支撑表面的工作盘(chuck table)与磨轮之间的位置关系的侧视图；

图6A和6B分别是示出其中清洁装置包括两个或更多喷嘴的示例实施方式的侧视图和平面图；

图7A和7B分别是示出其中清洁装置包括两个或更多喷嘴的另一示例实施方式的侧视图和平面图；

图8A至8D是示出根据示例实施方式的基板的研磨的时间线和轮顶端的同步清洁的时间线的曲线图；

图9是示出根据示例实施方式的被研磨的基板的厚度变化的示意图；

图10是根据示例实施方式的制造半导体封装的方法的流程图；

图11至16是示出根据示例实施方式的制造半导体封装的方法的工艺次序的视图。

具体实施方式

图1是根据示例实施方式的基板减薄装置100的透视图。根据示例实施方式的基板减薄装置不局限于用于研磨工艺的装置的构造，并且可以是通过其可以连续地执行或者按不同次序执行的一系列的工艺例如研磨工艺、另一研磨工艺、清洁工艺等等的处理装置的一部分。

参照图1，在X方向上延伸的矩形开口可以形成在基板减薄装置100的底框120的上表面中。矩形开口可以被移动板131和基本上防水的盖132覆盖，移动板131是与工作盘130一起可移动的。在X方向、Y方向和/或Z方向上移动工作盘130的移动装置可以提供在基本上防水的盖132之下。

工作盘130的表面可以是经由多孔板吸附和支撑基板W的支撑表面133。支撑表面133可以通过在工作盘130内侧的流道连接到吸力源，基板W可以通过施加到支撑表面133的负压被吸附和固定。