[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述半导体衬底表面具有隔离层，所述隔离层顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且覆盖所述鳍部的部分侧壁；

在所述鳍部内形成源漏开口；

对所述隔离层进行非晶化处理，在所述隔离层表面形成保护层；

形成所述保护层之后，在所述源漏开口内形成源漏掺杂层；

对所述源漏掺杂层底部的鳍部进行第一离子注入。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏开口之后，形成所述保护层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述隔离层进行非晶化处理的过程中，所述源漏开口底部的鳍部也被非晶化处理形成非晶区。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保护层之后，还包括：去除所述源漏开口底部的非晶区。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层之后，形成所述源漏开口。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述隔离层进行非晶化处理的过程中，所述鳍部的顶部表面也被非晶化处理形成非晶区。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏开口的步骤包括：去除所述非晶区。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏开口的步骤还包括：去除所述非晶区形成初始开口；刻蚀所述初始开口底部的鳍部，形成所述源漏开口。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述隔离层进行非晶化处理的工艺包括非晶化注入工艺，所述非晶化注入工艺参数包括：注入离子为：硅离子，注入能量为：0.5千电子伏～20千电子伏，注入离子浓度为：1.0e¹⁴原子数/平方厘米～1.0e¹⁷原子数/平方厘米，注入角度为：0度～15度。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为2纳米～30纳米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保护层之后，形成源漏掺杂层之前，利用清洗液对所述源漏开口的侧壁和底部以及隔离层进行清洗。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗液包括：氢氟酸。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏掺杂层的工艺包括：选择性外延沉积工艺。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺所注入的离子包括：P型离子或N型离子；所述P型离子包括：硼离子；所述N型离子包括：磷离子。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺所注入的离子为磷离子时，所述第一离子注入工艺参数包括：第一注入能量为：3千电子伏～15千电子伏，第一注入离子浓度为：1.0e¹⁴原子数/平方厘米～1.0e¹⁵原子数/平方厘米，第一注入角度为：0度～15度。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：对所述源漏掺杂层的顶部表面进行第二离子注入。