[发明专利]一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法

权利要求书

1.一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：贴UV膜，将晶圆正面朝下放置在贴膜机吸盘正中央，所述吸盘为中间悬空的真空吸盘，UV膜外周固定在不锈钢框架上；

步骤2：切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，沿切割方向上设有两个对齐的切刀片，两个切刀片连续切割；前切刀片先切割晶圆，后切刀片后切割晶圆，前切刀片切割的厚度为晶圆总厚度的20％～60％，后切刀片将晶圆划透，且不划透所述UV膜，切割的进刀速度3～30mm/s，前后切刀片的厚度为30～60μm，两次切割后，晶圆全划透，切割成单个芯片；

步骤3：清洗和甩干晶圆；

步骤4：照射，使用UV照射机，对晶圆背面的UV膜进行照射30～100s，调节UV灯管能量在120～360mJ/cm²之间，可将UV膜的粘性降到以前的1～10％；

步骤5：利用扩膜机对晶圆进行扩膜处理，使所有芯片向四周均匀扩开；

步骤6：利用芯片拾取设备，将芯片从UV膜取下放入专门MEMS释放石英托盘中；

步骤7：把托盘放在去胶机设备中，进行结构释放。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，还包括步骤8：封装测试，利用芯片拾取设备，将芯片从MEMS释放石英托盘中取下放入芯片储存盒中，进行封装测试。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，步骤3中，清洗和甩干晶圆时，先将固定晶圆的不锈钢框架整体放在可旋转的陶瓷密孔吸盘上，所述陶瓷密孔吸盘可以固定不锈钢框架的四周，陶瓷密孔吸盘上方设有喷液系统，所述喷液系统包含若干个可左右摆动喷洒溶液的喷头，所述若干个左右摆动的喷头喷洒溶液清洗所述晶圆，清洗完之后，陶瓷密孔吸盘高速旋转，将废液甩出，甩干晶圆。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，步骤1中的贴UV膜时，从贴膜机后卷筒中拉出UV膜，长度超出所述不锈钢框架2～10cm。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，所述UV膜的厚度为80～120mm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，所述后切刀片的刀刃在高度方向上，高于所述UV膜的下表面，且低于所述晶圆的背面。

7.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，步骤5中，得到扩散的芯片，每个芯片之间的间距大于120μm。

8.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，步骤2中，所述前切刀片的厚度大于所述后切刀片的厚度。

9.一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法中使用的托盘，包括托盘本体，其特征在于，所述托盘本体上设有圆形凹槽，所述圆形凹槽的直径与晶圆的直径一致，所述圆形凹槽被分隔成若干个和芯片尺寸一致的方格槽。

10.根据权利要求9所述的一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法中使用的托盘，所述圆形凹槽的深度为1～3mm。