[发明专利]透明OLED显示面板有效
申请号: | 201710038290.2 | 申请日: | 2017-01-19 |
公开(公告)号: | CN106653817B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 韩佰祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 oled 显示 面板 | ||
1.一种透明OLED显示面板,其特征在于,包括:阵列排布的多个显示像素(1),每一个显示像素(1)均包括沿竖直方向依次排列的显示区(11)以及透明区(12),每一个显示区(11)均设有沿水平方向依次排列的第一、第二、以及第三子像素(111、112、113);
对应每一行显示像素(1)设有与该行显示像素(1)电性连接的一水平的扫描线(21)和一水平的第一电源线(22),对应每一列显示像素(1)设有与第一电源线(22)电性连接的一竖直的第二电源线(23),对应每一列第一子像素(111)设有与该列第一子像素(111)电性连接的一第一数据线(24),对应每一列第二子像素(112)设有与该列第二子像素(112)电性连接的一第二数据线(25),对应每一列第三子像素(113)设有与该列第三子像素(113)电性连接的一第三数据线(26);
所述第一电源线(22)以及扫描线(21)位于第一金属层(31),所述第一数据线(24)以及第二数据线(25)位于层叠于所述第一金属层(31)上方的第二金属层(32),所述第一金属层(31)与第二金属层(32)之间设有绝缘层(33);
所述第二电源线(23)包括:第一延伸部(231)、以及第一桥接部(232),所述第一延伸部(231)位于第一金属层(31),所述第一桥接部(232)位于第二金属层(32),所述第一桥接部(232)通过穿越所述绝缘层(33)的第一过孔(333)与第一延伸部(231)电性连接,所述第二电源线(23)通过第一桥接部(232)与扫描线(21)绝缘相交;所述第三数据线(26)包括:第二延伸部(261)、以及第二桥接部(262),所述第二延伸部(261)位于第一金属层(31),所述第二桥接部(262)位于第二金属层(32),所述第二桥接部(262)通过穿越所述绝缘层(33)的第二过孔(334)与第二延伸部(261)电性连接,所述第三数据线(26)通过所述第二桥接部(262)与所述扫描线(21)以及第一电源线(22)绝缘相交;
在透明区(12)内,所述第一数据线(24)与所述第二电源线(23)绝缘层叠,所述第二数据线(25)与所述第三数据线(26)绝缘层叠。
2.如权利要求1所述的透明OLED显示面板,其特征在于,所述第一、第二、以及第三子像素(111、112、113)分别为红色、绿色、及蓝色子像素。
3.如权利要求1所述的透明OLED显示面板,其特征在于,每一个子像素均包括:一第一薄膜晶体管(T1)、一第二薄膜晶体管(T2)、一电容(C)、以及一有机发光二极管(D);
所述第一薄膜晶体管(T1)栅极电性连接至扫描线(21),源极电性连接该子像素对应的数据线,漏极与第二薄膜晶体管(T2)的栅极、及电容(C)的一端电性连接;所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极电性连接该子像素对应的第一电源线(22),源极电性连接有机发光二极管(D)的阳极;有机发光二极管(D)的阳极电性连接电容(C)的另一端,阴极接地。
4.如权利要求3所述的透明OLED显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极、第二薄膜晶体管(T2)的栅极、以及电容(C)的一端均位于第一金属层(31),所述第一薄膜晶体管(T1)的源极和漏极、第二薄膜晶体管(T2)的源极和漏极,以及电容(C)的另一端均位于第二金属层(32)。
5.如权利要求4所述的透明OLED显示面板,其特征在于,所述绝缘层(33)包括:栅极绝缘层(331)和层间绝缘层(332);
所述栅极绝缘层(331)上在对应所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极、第二薄膜晶体管(T2)的栅极的位置设有有源层(34),所述层间绝缘层(332)覆盖所述有源层(34)及栅极绝缘层(331)。
6.如权利要求5所述的透明OLED显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)的源极和漏极以及第二薄膜晶体管(T2)的源极和漏极均分别通过两第三过孔(335)与其对应的有源层(34)的两端接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的