[发明专利]开沟槽结合坝装置及其制造方法

权利要求书

1.一种用于组装开沟槽结合坝装置的方法，其特征在于，包括：

将结合坝结构附接在基板的顶部表面上，所述结合坝结构具有(i)附接至基板的顶部表面的底部表面，(ii)由外坝围绕的内坝，以及(iii)位于所述内坝和所述外坝之间的沟槽；

将光学系统相对于基板上的基板元件对准，所述光学系统具有透镜；以及

将对准的基板和光学系统彼此结合，所述光学系统的底部表面与内坝和外坝中的至少一个的顶部表面相联接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述基板为未附接至晶圆的芯片级封装；以及

所述光学系统为未附接至晶圆的晶粒级光学系统。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述基板为具有两个侧向分隔开的基板元件的第一晶圆的一部分，所述两个侧向分隔开的基板元件包括两个芯片级封装，所述两个芯片级封装之间具有基板切割槽，其中各个结合坝结构附接至每个芯片级封装的顶部表面；

所述光学系统包括晶圆级光学系统，所述晶圆级光学系统具有附接至第二晶圆的至少两个侧向分隔开的光学系统，且在所述至少两个侧向分隔开的光学系统之间具有光学切割槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将结合坝结构附接在基板的顶部表面上的步骤包括在所述基板的顶部表面上形成所述结合坝结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述结合坝结构和所述基板中的至少一个包括第一对准标记；

所述光学系统包括第二对准标记；以及

对准的步骤包括将所述第一对准标记相对于所述第二对准标记对准。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一对准标记为所述内坝和所述外坝中的一个的顶部表面。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对准的步骤还包括将所述光学系统的光心与所述结合坝结构的中心对准。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆包括位于所述基板切割槽内的第一对准标记；

所述第二晶圆包括位于所述光学切割槽内的第二对准标记；

对准的步骤包括将所述第一对准标记相对于所述第二对准标记对准。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结合坝结构包括仅具有所述外坝的一侧。

10.一种开沟槽结合坝装置，其特征在于，包括：位于基板的顶部表面上的结合坝结构，所述结合坝结构具有(i)附接至所述基板的顶部表面的底部表面，(ii)由外坝围绕的内坝，以及(iii)位于所述内坝和所述外坝之间的沟槽。

11.根据权利要求10所述的开沟槽结合坝装置，其特征在于，所述基板包括图像传感器和透镜中的至少一个。

12.根据权利要求10所述的开沟槽结合坝装置，其特征在于，所述结合坝结构是下述其中一个：(a)具有U形截面和W形截面中的一个的单件结构，以及(b)双件结构，其中所述内坝为所述双件结构的第一部件而所述外坝为所述双件结构的第二部件。

13.根据权利要求10所述的开沟槽结合坝装置，其特征在于，进一步包括：

光学系统，所述光学系统具有透镜；

粘合剂，所述粘合剂位于介于所述光学系统的底部表面和(a)所述内坝与(b)所述外坝中的至少一个的顶部表面之间的结合区域内；以及

所述沟槽被加工成一定尺寸以在将所述基板结合至所述光学系统期间接收从所述结合区域侧向流出的一部分粘合剂，从而侧向地限制粘合剂。

14.根据权利要求13所述的开沟槽结合坝装置，其特征在于，所述基板为未附接至晶圆的芯片级封装；以及

所述光学系统为未附接至晶圆的晶粒级光学系统。