[发明专利]具有体内场板结构的VDMOS器件在审
| 申请号： | 201710039708.1 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN107068758A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李佳驹;林育赐;罗蕾;谢驰;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 体内 板结 vdmos 器件 | ||
1.一种具有体内场板结构的VDMOS器件，其特征在于：每个元胞结构包括从下至上依次设置的金属化漏极(1)、N+衬底(2)、N-漂移区(3)和金属化源极(11)；所述N-漂移区(3)中具有槽形体场板区，所述槽形体场板区包括：位于N-漂移区(3)左右两侧的渐变介质层(9)、位于渐变介质层(9)中的多晶硅场板(4)，所述多晶硅场板(4)上方与金属化源极(11)相连；左右渐变介质层(9)之间的N-漂移区(3)内部左右两侧分别设有P型掺杂区(5)，左右两侧的P型掺杂区(5)上方设有N+重掺杂源区(7)；N+重掺杂源区(7)结深低于P型掺杂区(5)，渐变介质层(9)的上端位于P型掺杂区(5)的下表面上方、N+重掺杂源区(7)和P型掺杂区(5)的交界面下方，且所述P型掺杂区(5)和N+重掺杂源区(7)的远离器件中心的侧壁均与所述多晶硅场板(4)相接触，所述N+重掺杂源区(7)的上表面与金属化源极(11)相连；所述N-漂移区(3)的上表面设有栅氧化层(6)，所述栅氧化层(6)上方有栅电极(8)；P型掺杂区(5)和栅电极(8)之间的半导体表面被栅氧化层(6)覆盖，栅氧化层(6)不完全覆盖栅电极(8)和N+重掺杂源区(7)之间的半导体；所述栅电极上方设有介质层(10)；所述介质层(10)上方覆盖源极金属层(11)，所述器件的元胞结构中无P+重掺杂区，所述渐变介质层(9)为介电常数渐变的复合介质材料，其介电常数从靠近金属化源极(11)侧到靠近金属化漏极(1)侧逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的一种具有体内场板结构的VDMOS器件，其特征在于：栅电极(8)为沟槽栅结构。
3.根据权利要求1所述的一种具有体内场板结构的VDMOS器件，其特征在于：所述渐变介质层(9)为氮氧化硅SiOxNy。
4.根据权利要求1所述的一种具有体内场板结构的VDMOS器件，其特征在于：所述器件包括一个以上的上述元胞结构。
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