[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内具有源漏掺杂区，所述栅极结构的顶部表面具有第一停止层，所述源漏掺杂区表面具有第二停止层，所述半导体衬底、源漏掺杂区和栅极结构上具有层间介质层，所述层间介质层位于第一停止层和第二停止层表面；

在所述层间介质层中形成暴露出所述第一停止层的第一开口；

在所述层间介质层中形成暴露出所述第二停止层的第二开口；

经过灰化工艺、离子注入之后，去除第一开口底部的第一停止层，形成第一接触孔；

经过灰化工艺、离子注入之后，去除第二开口底部的第二停止层，形成第二接触孔；

在所述第一接触孔和第二接触孔内形成导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第一开口之后，形成所述第二开口。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一开口的步骤包括：在所述层间介质层上形成第一图形层，所述第一图形层暴露出第一停止层上的部分层间介质层；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述层间介质层直至暴露出第一停止层，形成第一开口。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二开口的步骤包括：在所述第一开口内以及所述层间介质层上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出第二停止层上的部分层间介质层表面；以所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述层间介质层直至暴露出第二停止层，形成第二开口。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，形成第一接触孔之前，还包括：采用灰化工艺去除牺牲层直至暴露出第一开口底部的第一停止层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第一开口之前，形成所述第二开口。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二开口的步骤包括：在所述层间介质层上形成第二图形层，所述第二图形层暴露出第二停止层上的部分层间介质层；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述层间介质层直至暴露出第二停止层，形成第二开口。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一开口的步骤包括：在所述第二开口内以及所述层间介质层上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出第一停止层上的部分层间介质层表面；以所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述层间介质层直至暴露出第一停止层，形成第一开口。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层上的栅极层；所述栅介质层的材料为高K介质材料；所述栅极层的材料为金属。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构、第一停止层和层间介质层的形成步骤包括：在半导体衬底表面形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极层；在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成源漏掺杂区；在形成源漏掺杂区之后，在半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层暴露出伪栅极层的顶部表面；去除伪栅极层，在第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成栅极结构；去除部分栅极结构，在第一介质层内的栅极结构顶部形成停止层开口；在所述停止层开口内形成第一停止层；平坦化所述第一停止层；在第一停止层上形成第二介质层，所述第一介质层和第二介质层构成所述层间介质层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层上的栅极层；栅极结构包括栅极层，所述栅极层的材料为多晶硅。