[发明专利]一种稀土掺杂的不同形貌钛酸铋纳米晶薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201710040816.0 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN106810238B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 刘晓芳;刘壮;王荣威;陶柱;李园;孙华君 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C04B35/475;C04B35/624;C03C17/22;C23C18/12 |
代理公司: | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 掺杂 不同 形貌 钛酸铋 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种稀土掺杂的钛酸铋纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)将基片清洗干净,封存备用;
(b)将硝酸铋和硝酸R溶解在乙二醇甲醚中得A溶液,将钛酸四丁酯溶于乙二醇甲醚和乙酰丙酮混合液中得B溶液,将B溶液滴入A溶液中搅拌均匀得BRT溶胶;
(c)将制得的BRT混合溶胶旋涂在基片上,高温退火处理后在基片上制得晶种层;
(d)配制硝酸铋-硝酸R溶液,配制四氯化钛溶液,将硝酸铋-硝酸R溶液滴入四氯化钛溶液中,搅拌均匀并调节pH至碱性得前驱物溶液;
(e)将表面制有晶种层的基片置于装有前驱物溶液的反应器中,进行水热反应即得;
步骤(d)中制备硝酸铋-硝酸R溶液时首先向水中滴加少量硝酸,再将硝酸铋和硝酸R溶于水溶液得硝酸铋-硝酸R溶液,制备四氯化钛溶液时将四氯化钛溶于冰水中;
制得的钛酸铋纳米晶薄膜由稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜形成,化学式为Bi4-xRxTi3O12,其中0<x≤0.85,R为稀土元素镨或钕中的一种。
2.如权利要求1所述的稀土掺杂的钛酸铋纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(a)中基片分别用丙酮、乙醇以及去离子水超声清洗,接着用浓硝酸、氟化铵、尿素的混合溶液清洗,最后用去离子水冲洗干净后封存在无水乙醇中备用。
3.如权利要求1所述的稀土掺杂的钛酸铋纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(b)制得的BRT溶胶中乙二醇甲醚与乙酰丙酮的体积比为6-8:4-2,BRT溶胶的浓度为0.05-0.4mol/L,BRT溶胶中Bi、R、Ti的摩尔比为4-x:x:3,其中0<x≤0.85。
4.如权利要求1所述的稀土掺杂的钛酸铋纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(c)中首先将BRT混合溶胶甩涂在基片上,接着将基片置于100-200℃热处理,然后再次甩涂1-29次,甩涂完成后将基片置于400-800℃高温退火1-30min。
5.如权利要求1所述的稀土掺杂的钛酸铋纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(d)中采用浓度为0.1-6mol/L的氢氧化钾调节前驱物溶液的pH值至9-14,前驱物溶液中Bi、R、Ti的摩尔比为4-x:x:Y,其中Y的取值在1.5-3之间。
6.如权利要求1所述的稀土掺杂的钛酸铋纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(e)中反应器水热釜的填充度为50-90%,水热反应温度为150-240℃,反应时间为2-48h。
7.如权利要求1-6任一项所述的稀土掺杂的钛酸铋纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于:所述基片为钛片、铂片、硅片、石英片中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造