[发明专利]一种有机电致发光器件的薄膜封装结构及制备方法有效
申请号: | 201710042003.5 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN106887530B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 杨建兵;张阳;王绪丰 | 申请(专利权)人: | 南京国兆光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 瞿网兰;徐冬涛 |
地址: | 211100 江苏省南京市江宁开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 薄膜 封装 结构 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件的薄膜封装结构,其特征在于它包括待封装的OLED器件基板(1),基板(1)上设有顶发射OLED器件(2);顶发射OLED器件(2)上覆盖有出光层(3);该出光层覆盖在顶发射OLED器件(2)的阴极上;出光层(3)上覆盖有封装层(4),封装层(4)由无机氧化物(41)和缓冲层(42)交替形成;封装层(4)通过粘合层(5)与盖板玻璃(6)相连;所述的封装层(4)采用无机氧化物层、缓冲层交替的方式形成在出光层上,其中最下层的无机氧化物层紧邻出光层;所述的无机氧化物层采用多层金属氧化物交替形成,所述金属氧化物为Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2或以上各组组合;所述无机氧化物层的厚度为10-100nm;所述无机氧化物层的折射率为1.45-1.57;所述无机氧化物层采用ALD沉积的方式,工艺温度为80-100℃;所述缓冲层为聚硅氧烷;所述封装层的透射率>70%@524nm;所述出光层(3)的厚度为10-100nm;所述出光层(3)的折射率范围为1.57-1.75;所述缓冲层采用旋涂的方式进行生长,缓冲层厚度为300nm-2um,工艺温度为80-100℃。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件的薄膜封装结构,其特征在于,所述出光层(3)的材料为SiOx,采用电子束蒸发或热蒸发的方式生长而成。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件的薄膜封装结构,其特征在于所述粘合层为聚硅氧烷、环氧树脂或丙烯酸。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件的薄膜封装结构,其特征在于所述粘合层采用面涂覆方式形成,厚度为1-10μm。
5.一种权利要求1所述的封装结构的制作方法,其特征是:
首先,在基板上形成顶发射OLED结构;
其次,在OLED阴极上制作出光层;
第三,在出光层上制作无机氧化物层;
第四,在无机氧化物层上制作缓冲层;
第五,重复第三、第四步1-10次;
第六,制作粘合层;
最后,封装盖板玻璃。
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