[发明专利]一种具有复合结构的偏振发光二极管

权利要求书

1.一种具有复合结构的偏振发光二极管，其特征在于：所述偏振发光二极管包括自下而上依次设置的具有完整结构可以正常发光的发光二极管芯片、周期性结构增透层以及纳米金属颗粒光子晶体层。

2.根据权利要求1所述的具有复合结构的偏振发光二极管，其特征在于：所述周期性结构增透层的图形是具有周期结构的半椭球体、圆锥、四棱锥、三棱锥、四棱台或圆台中的一种，优选半椭球体和圆锥，图形的横向周期为0.1 μm ～20 μm，图形的底面直径与高度比为0.1～10。

3.根据权利要求1所述的具有复合结构的偏振发光二极管，其特征在于：所述纳米金属颗粒的光子晶体层，光子晶体可以是一维光子晶体、二维光子晶体或三维光子晶体。

4.根据权利要求3所述的具有复合结构的偏振发光二极管，其特征在于：所述纳米金属颗粒的光子晶体层，三维光子晶体的晶格结构可以是三维面心立方晶格、三维立方晶格或三维六角晶格中的一种。

5.根据权利要求1所述的具有复合结构的偏振发光二极管，其特征在于：所述纳米金属颗粒的光子晶体层，金属纳米颗粒为周期性分布或非周期性分布的金属纳米球。

6.根据权利要求1所述的具有复合结构的偏振发光二极管，其特征在于：所述纳米金属颗粒的光子晶体层，金属纳米颗粒的直径为1-800nm。

7.根据权利要求1所述的具有复合结构的偏振发光二极管，其特征在于：所述纳米金属颗粒的光子晶体层，金属纳米颗粒的材料为Al、Ag、Au、Cu、Ni、Cr或它们的合金。