[发明专利]Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途

权利要求书

1.Rb₂ZnSi₃O₈的化合物，其特征在于：所述的Rb₂ZnSi₃O₈的化合物的化学式为Rb₂ZnSi₃O₈。

2.根据权利要求1所述的Rb₂ZnSi₃O₈化合物的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

将含Rb化合物、含Zn化合物和SiO₂以化学计量比均匀混合后，以不大于100℃/小时的速率升温到600-700℃并预烧结24小时以上，然后降温取出研磨均匀，再以不大于200℃/小时升温到800-900℃烧结72小时以上，中途取出研磨1次以上，即得所述的Rb₂ZnSi₃O₈化合物。

3.根据权利要求2所述的Rb₂ZnSi₃O₈化合物的制备方法，其特征在于：所述含Rb化合物为碳酸铷或硝酸铷，所述含Zn化合物为氧化锌。

4.Rb₂ZnSi₃O₈非线性光学晶体，其特征在于：所述的Rb₂ZnSi₃O₈非线性光学晶体不含对称中心，属于单斜晶系，C2空间群。

5.根据权利要求4所述的Rb₂ZnSi₃O₈非线性光学晶体，其特征在于：晶胞参数为Z＝2。

6.根据权利要求4或5所述的Rb₂ZnSi₃O₈非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：

将Rb₂ZnSi₃O₈化合物和助熔剂按照摩尔比为1：2-3混合并研磨均匀后放入铂金坩埚，接着将坩埚置于晶体生长炉，缓慢升温至1100℃以上，保温12小时以上，然后缓慢降温得到所述晶体。

7.根据权利要求6所述的Rb₂ZnSi₃O₈非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：所述助熔剂为Rb₂O和B₂O₃按照摩尔比为1：1混合而成。

8.根据权利要求4或5所述的Rb₂ZnSi₃O₈非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述的Rb₂ZnSi₃O₈非线性光学晶体作为非线性光学器件使用。

9.一种非线性光学器件，其特点在于：包括根据权利要求4或5所述的Rb₂ZnSi₃O₈非线性光学晶体。