[发明专利]一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法

权利要求书

1.一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，其特征在于，包括以下具体步骤：

(1)、制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片；

(2)、对所述栅绝缘基片进行快速退火操作；

(3)、在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极，制备有机场效应晶体管；

(4)、测试所述晶体管的转移特性曲线，提取对应的迁移率，并计算平均迁移率。

2.根据权利要求1所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，其特征在于：所述聚合物修饰层选自侧链含有苯环基团的高分子材料。

3.根据权利要求1所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，其特征在于：所述栅绝缘基片包括衬底、栅电极和栅绝缘层。

4.根据权利要求1所述通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，其特征在于：步骤2中所述快速退火操作是在氮气手套箱中进行，修饰后的基片置于热台上6～12h后，快速取下并置于室温，热台的温度低于聚合物材料的玻璃化转化温度。

5.根据权利要求1所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，其特征在于：步骤4中所述的迁移率提取自转移特性曲线的饱和区。

6.根据权利要求5所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，其特征在于所述迁移率的平均迁移率为若干个单元器件迁移率的平均值。

7.根据权利要求6所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，其特征在于所述若干个至少为3个。

8.一种根据权利要求1所述的通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法制备的有机场效应晶体管，其特征在于：所述的有机场效应晶体管，从下至上包括衬底、栅电极、栅绝缘层、聚合物修饰层、有机半导体层、源漏电极；

所述衬底的材料选自为高掺杂硅片、玻璃片或塑料PET；

所述栅电极采用的材料选自高掺杂硅、铝、铜、银、金、钛或钽；

所述栅绝缘层采用的材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、五氧化二钽，所述栅绝缘层的薄膜厚度为50～300nm；

所述聚合物修饰层的薄膜厚度为10～30nm；

所述有机半导体层采用的材料选自并五苯、并四苯、钛青铜、氟化钛青铜或红荧烯；

所述有机半导体层采用热真空蒸镀法成膜，其厚度为40～60nm；

所述源漏电极材料选自具有低电阻的金属材料金、银、铝、铜及合金材料、金属氧化物材料；

所述源漏电极的制备方法为磁控溅射法、喷墨打印法或真空蒸镀法，其厚度为60～100nm。