[发明专利]一种致密晶型四氧化三钴的制备方法有效
| 申请号： | 201710043633.4 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106882843B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;刘人生;田礼平;秦才胜;江洋;张琳琳;詹礼良;熊铜兴 | 申请（专利权）人： | 衢州华友钴新材料有限公司;浙江华友钴业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 钦荣燕 |
| 地址： | 324000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 致密 晶型四 氧化 制备 方法 | ||
1.一种致密晶型四氧化三钴的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
第一步：先将占反应釜有效体积1/10-1/5的纯水注入反应釜中作为底液，升温至30～60℃，在搅拌下将氯化钴溶液和碳酸氢铵溶液同时加入到反应釜中发生沉淀反应，加料过程中通过调整碳酸氢铵溶液流量控制反应液的pH值在6～8，当碳酸钴粒径长至2～5μm时停止加料；
第二步：将第一步得到的碳酸钴浆料进行压滤、滤饼直接进行干燥，保持碳酸钴中残留NH4Cl的含量为0.1～1％或者将第一步得到的碳酸钴浆料压滤，滤饼用纯水进行淋洗，淋洗时间不超过10分钟，然后进行干燥，保持碳酸钴中残留NH4Cl的含量为0.1～1％；将干燥的碳酸钴进行煅烧，煅烧过程分两步：第一步低温预分解，温度为200～300℃，保温0.5～2h，第二步高温快速分解，温度为600～800℃，保温3～4h。
2.根据权利要求1所述的一种致密晶型四氧化三钴的制备方法，其特征在于：所述第一步中氯化钴溶液的流量范围为500～600L/h，碳酸氢铵溶液的起始流量范围为1400～1800L/h。
3.根据权利要求1所述的一种致密晶型四氧化三钴的制备方法，其特征在于：所述第一步中氯化钴溶液的浓度为90～150g/L。
4.根据权利要求1所述的一种致密晶型四氧化三钴的制备方法，其特征在于：所述第一步中碳酸氢铵溶液的浓度为100～220g/L。
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