[发明专利]有机发光显示器件

说明书

【技术领域】

本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种有机发光显示器件。

【背景技术】

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)装置可以作为显示装置及照明装置的发光来源，具有广视角、响应时间短、轻薄和实现任意弯曲的优点。

为了方便描述，将所述有机发光显示器件中各层结构的英文缩写进行说明，HIL表示空穴注入层，HTL表示空穴传输层，EML表示发光层，ETL表示电子传输层，EIL表示电子注入层。OLED的发光机制为当对OLED器件施加偏压后，空穴从阳极注入，经由HIL/HTL跃迁到EML，电子由阴极注入，经由EIL/ETL进入到EML，空穴和电子载流子在主体材料上复合形成不稳定的激子，通过FET能量转移到客体上进行退激发的过程。OLED材料发展的历程中，按照材料的发光机制可以简单分为两大类:荧光和磷光。根据光学统计，当空穴与电子相遇后形成25％的单线态激子S₁和75％的三线态激子T₁。传统的荧光材料由于受限于不同态间的禁阻，荧光发光材料只能利用到25％的S₁激子进行发光，而剩下75％的三线态不发光而通过非辐射方式耗损掉，从而量子发光效率的上限为25％。同时，为了防止高浓度下客体材料分子间的猝灭，一般采用主客体材料掺杂的方式进行的，能量在主客体间进行传递。能量传递的机制一般认为有两种，分别为Forest能量转移(FET)和Dexter能量转移，在较低的主客体掺杂体系中，一般认为主体材料的能量是通过FET传递给客体材料，要使得能量传递更为充分，一般要求主体材料的发射光谱与客体材料的吸收光谱有较好的重叠性。

TADF是最新一代的荧光发光材料，要求荧光材料的单线态和三线态能级间的差值非常小ΔE_ST<0.05EV，满足这样的能量关系时，在TADF荧光材料上形成的T1三线态激子才有可能通过RISC反间隙串跃回到附近的S₁能级上，从而理论上可以实现100％S₁进行荧光发光。

然而传统的荧光发光器件和TADF荧光发光器件都存在比较明显的技术缺陷。分别表现为：

传统荧光发光器件

1、量子效率低下。量子效率低下是传统荧光发光器件的致命缺点。由于传统荧光发光器件只能利用仅有25％的S₁激子进行荧光发光，造成现有的荧光发光器件外部量子效率难与磷光发光器件外部量子效率进行媲美，更达不到OLED商业化的要求。

2、对主体材料要求高。由于传统荧光材料的自身的内部量子效率比较低，因此，需要选择更好的主体材料进行匹配，以期待获得满意的器件表现。对主体材料提出了很高的要求：单线态能级，HOMO/LUMO匹配度，光谱重叠程度，以及较高的耐热性等；对于荧光蓝，主体材料的选择更难。

TADF荧光发光器件

1、材料设计需要更高要求。TADF能够实现的条件是ΔE_ST足够小，就要求TADF材料在分子设计上需要特别注意HOMO和LUMO分子轨道的有效分离，防止HOMO/LUMO共轭，这对材料设计提出一定高的要求。

2、需要额外的热过程。由于本身S₁和T₁是选自禁阻的TADF荧光材料，虽然ΔE_ST足够小，但是为了利用到全部的T₁激子能量，需要额外的热过程，这对器件产生一定要求。

因此，有必要提供一种新的工艺解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的是克服上述技术问题，提供一种能将100％的激子能量全部转移给荧光客体材料进行荧光发光，从而提高其发光效率的有机发光显示器件。

本发明的技术方案是：

一种有机发光显示器件，包括第一导电层、第二导电层、形成于所述第一导电层和所述第二导电层之间的空穴传输部和电子传输部及形成所述空穴传输部和所述电子传输部之间的发光层，所述发光层包括n+1层发光子层及形成于相邻两所述发光子层之间的中间阻隔层，至少其中一所述发光子层由金属辅助延迟荧光敏化剂、主体材料及荧光客体材料掺杂形成，其中n为大于等于1的自然数。

优选的，所述金属辅助延迟荧光敏化剂的单线态和三线态能级差ΔE_ST≤0.3ev。

优选的，所述主体材料的三线态能级高于所述金属辅助延迟荧光敏化剂和所述荧光客体材料的三线态能级。