[发明专利]接近传感器的改良结构在审
| 申请号： | 201710047140.8 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108333639A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 苏瑞·巴舒·尼加古纳 | 申请（专利权）人： | 光宝新加坡有限公司 |
| 主分类号： | G01V8/12 | 分类号： | G01V8/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装体 发射单元 接收单元 接近传感器 封装单元 改良结构 金属遮蔽 遮蔽单元 发射端 接收端 基板 薄膜 最小距离 传感器 覆盖 | ||
1.一种接近传感器的改良结构，其特征在于，所述接近传感器的改良结构包括：
一基板，其具有一发射端区域以及一位于所述发射端区域一侧的接收端区域；
一发射单元，其设置于所述发射端区域上；
一接收单元，其设置于所述接收端区域上；
一封装单元，其包括一第一封装体以及一第二封装体，所述第一封装体覆盖所述发射单元，所述第二封装体覆盖所述接收单元；以及
一遮蔽单元，其包括一形成于所述第一封装体的外表面上的第一金属遮蔽薄膜以及一形成于所述第二封装体的外表面上的第二金属遮蔽薄膜，所述第一金属遮蔽薄膜具有一对应于所述发射单元的第一开口，所述第二金属遮蔽薄膜具有一对应于所述接收单元的第二开口；
其中，所述第一封装体的外表面与所述第二封装体的外表面之间的最小距离小于50微米。
2.根据权利要求1所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述第一金属遮蔽薄膜以及所述第二金属遮蔽薄膜各为一无电镀金属薄膜。
3.根据权利要求2所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述无电镀金属薄膜的材料为铜、铝、银、金或其组合。
4.根据权利要求1所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述第一封装体的外表面包含一面向所述第二封装体的第一侧表面，所述第二封装体的外表面包含一面向所述第一封装体且平行于所述第一侧表面的第二侧表面，且所述最小距离为所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的距离。
5.根据权利要求1所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述基板具有一位于所述发射端区域与所述接收端区域之间的沟槽。
6.根据权利要求1所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述第一金属遮蔽薄膜与所述第一封装体之间具有一第一触媒层，所述第一触媒层通过避开所述第一开口的涵盖区域的方式以形成于所述第一封装体的外表面上，所述第二金属遮蔽薄膜与所述第二封装体之间具有一第二触媒层，所述第二触媒层通过避开所述第二开口的涵盖区域的方式以形成于所述第二封装体的外表面上，所述第一触媒层以及所述第二触媒层中包含催化性金属。
7.根据权利要求6所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述催化性金属为金、银、钯、铂或钌。
8.根据权利要求6所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述第一触媒层通过一第一表面改质层以形成于所述第一封装体的外表面上，所述第二触媒层通过一第二表面改质层以形成于所述第二封装体的外表面上。
9.根据权利要求1所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述发射单元为一红外线二极管，所述接收单元为一红外线传感器。
10.根据权利要求1所述的接近传感器的改良结构，其特征在于，所述发射单元为一激光二极管，所述接收单元为一激光传感器。
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