[发明专利]基于负载的动态频率补偿方法及装置在审
申请号: | 201710047497.6 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN106647912A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 张科;王富中;丁启源 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 负载 动态 频率 补偿 方法 装置 | ||
1.一种基于负载的动态频率补偿方法,其特征在于,该方法实现装置的零点随负载变化,并补偿次极点的变化,从而实现装置的稳定。
2.根据权利要求1所述的基于负载的动态频率补偿方法,其特征在于,所述装置的零点和次极点随负载的增加而增大,或随负载的减少而减小。
3.一种基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,包括:
电荷泵单元,所述电荷泵单元的输出端连接分压模块;
误差放大单元,所述误差放大单元连接所述分压模块;
动态频率补偿单元,所述动态频率补偿单元的一端连接所述误差放大单元的输出端,另一端连接所述电荷泵单元,所述动态频率补偿单元实现装置的零点随负载变化,且补偿次极点的变化。
4.根据权利要求3所述的基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,所述零点和次极点随负载的增加而增大,或随负载的减小而减小。
5.根据权利要求3所述的基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,所述动态频率补偿电路包括:
第一NMOS晶体管,漏极连接所述误差放大单元的输出端,栅极连接工作电源;
第一电容,所述第一电容的一极连接所述第一NMOS晶体管的源极,另一极连接地端;
第一PMOS晶体管,源极连接工作电源,漏极连接所述电荷泵单元的输入端,栅极连接所述误差放大单元的输出端。
6.根据权利要求3所述的基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,所述动态频率补偿电路包括:
第一NMOS晶体管,漏极连接所述误差放大单元的输出端,栅极连接工作电源;
第一电容,所述第一电容的一极连接所述第一NMOS晶体管的源极,另一极连接所述电荷泵单元的输出端;
第一PMOS晶体管,源极连接工作电源,漏极连接所述电荷泵单元的输入端,栅极连接所述误差放大单元的输出端。
7.根据权利要求5或6所述的基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,所述电荷泵单元的输出端为正的电源电压。
8.根据权利要求3所述的基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,所述动态频率补偿电路包括:
第一PMOS晶体管,源极连接所述误差放大单元的输出端,栅极连接地端;
第一电容,所述第一电容的一极连接所述第一PMOS晶体管的漏极,另一极连接地端;
第一NMOS晶体管,源极连接地端,漏极连接所述电荷泵单元的输入端,栅极连接所述误差放大单元的输出端。
9.根据权利要求3所述的基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,所述动态频率补偿电路包括:
第一PMOS晶体管,源极连接所述误差放大单元的输出端,栅极连接地端;
第一电容,所述第一电容的一极连接所述第一PMOS晶体管的漏极,另一极连接所述电荷泵单元的输出端;
第一NMOS晶体管,源极连接地端,漏极连接所述电荷泵单元的输入端,栅极连接所述误差放大单元的输出端。
10.根据权利要求8或9所述的基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,所述电荷泵单元的输出端为负的电源电压。
11.根据权利要求3所述的基于负载的动态频率补偿装置,其特征在于,所述分压单元包括串联的第一电阻和第二电阻,所述第一电阻连接所述于所述电荷泵单元的输出端与所述误差放大单元的输入端之间,所述第二电阻连接于所述误差放大单元的输入端与地端之间。
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