[发明专利]肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其包括：

一第一电极，该第一电极包括一第一金属层及一第二金属层，第一金属层和第二金属层层叠设置，第一金属层的侧面和第二金属层的上表面形成一台阶状结构；

一第二电极，该第二电极包括一第三金属层及一第四金属层，第三金属层和第四金属层层叠设置，第三金属层的下表面与第四金属层的侧面形成一反向台阶状结构；

一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述半导体结构的第一端被第一金属层和第二金属层夹持，所述半导体结构的第二端被第三金属层和第四金属层夹持，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体结构为P型半导体或N型半导体。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述纳米级半导体结构为一维半导体线性材料，其直径小于等于200纳米。

4.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述纳米级半导体结构为二维半导体薄膜，其厚度小于200纳米。

5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体结构的材料为砷化镓、碳化硅、多晶硅、单晶硅、萘或硫化钼。

6.如权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体结构为二硫化钼薄膜，其厚度为1～2纳米。

7.一种肖特基二极管阵列，其包括：一绝缘基底及多个肖特基二极管单元，该多个肖特基二极管单元以阵列的形式排列设置在绝缘基底的表面，每个肖特基二极管单元之间相互间隔设置，所述肖特基二极管单元包括：

一第一电极，该第一电极包括一第一金属层及一第二金属层，第一金属层和第二金属层层叠设置，第一金属层的侧面和第二金属层的上表面形成一台阶状结构；

一第二电极，该第二电极包括一第三金属层及一第四金属层，第三金属层和第四金属层层叠设置，第三金属层的下表面与第四金属层的侧面形成一反向台阶状结构；

一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述半导体结构的第一端被第一金属层和第二金属层夹持，所述半导体结构的第二端被第三金属层和第四金属层夹持，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

8.如权利要求7所述的肖特基二极管阵列，其特征在于，所述纳米级半导体结构为一维纳米结构或二维纳米结构。

9.一种肖特基二极管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一绝缘基底，在绝缘基底上形成第二金属层和一第四金属层，第二金属层和第四金属层间隔设置；

在第二金属层、第四金属层和绝缘基底上形成一半导体结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构，半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，将半导体结构的第一端设置在第二金属层的上表面，将第二端设置在第四金属层的上表面，半导体结构的第一端和第二端之间的中间部设置在绝缘基底的表面；

在半导体结构的第一端的上表面形成一第一金属层，半导体结构的第一端被第一金属层和第二金属层夹持，第一金属层的侧面和第二金属层的上表面形成一台阶状结构；

在半导体结构的第二端的上表面形成一第三金属层，半导体结构的第二端被第三金属层和第四金属层夹持，第四金属层的侧面和第三金属层的下表面形成一反向台阶状结构，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构。

10.如权利要求9所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层及第四金属层通过光刻的方法形成。