[发明专利]一种多晶铸锭系统

说明书

技术领域

本发明属于光伏设备制造技术领域，特别是涉及一种多晶铸锭系统。

背景技术

太阳电池作为绿色能源在市场上逐渐发展，光伏行业在近年也有其发展优势。其中以高产、低价的定向凝固法为主的多晶硅铸锭，其硅片以其低成本的优势占据了绝大多数的光伏市场。但是影响多晶硅太阳电池的转换效率的主要因素是硅片中存在的大量位错、晶界等缺陷、以及氧碳等杂质。其中氧杂质是多晶硅中主要的非金属杂质之一，硅中孤立、分散的氧形成电中性的缺陷中心，主要处于晶格间的空隙位置，呈现过饱和状态，因此，多晶硅中氧杂质行为的认识及控制对实现低成本、高效率的多晶硅太阳电池具有重要意义，然后现有技术中对氧的控制并不够充分。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种多晶铸锭系统，能够改善氧分布均匀性，并控制其含量，提高电池片的转换效率，降低多晶硅片中的光衰比例。

本发明提供的一种多晶铸锭系统，包括坩埚，所述坩埚的外围非接触式的设置有护板，所述坩埚的内壁刷涂有第一预设厚度的第一氮化硅涂层，所述第一氮化硅涂层的表面喷涂有第二预设厚度的第二氮化硅涂层。

优选的，在上述多晶铸锭系统中，所述护板的面向所述坩埚的一面设置有用于隔绝所述护板和所述坩埚的隔板。

优选的，在上述多晶铸锭系统中，所述护板的顶边开设有用于阻止炉体中的杂质进入硅液中的凹槽。

优选的，在上述多晶铸锭系统中，所述第一预设厚度的范围为0.07毫米至0.10毫米。

优选的，在上述多晶铸锭系统中，所述第二预设厚度的范围为0.35毫米至0.40毫米。

优选的，在上述多晶铸锭系统中，所述隔板为钼板或钨板。

优选的，在上述多晶铸锭系统中，所述凹槽的深度范围为40毫米至45毫米。

优选的，在上述多晶铸锭系统中，所述隔板的厚度范围为0.30毫米至0.40毫米。

优选的，在上述多晶铸锭系统中，所述护板为石墨护板。

通过上述描述可知，本发明提供的上述多晶铸锭系统，由于包括坩埚，所述坩埚的外围非接触式的设置有护板，所述坩埚的内壁刷涂有第一预设厚度的第一氮化硅涂层，所述第一氮化硅涂层的表面喷涂有第二预设厚度的第二氮化硅涂层，因此能够改善氧分布均匀性，并控制其含量，提高电池片的转换效率，降低多晶硅片中的光衰比例。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种多晶铸锭系统的坩埚示意图；

图2为本申请实施例提供的第三种多晶铸锭系统的护板的示意图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种多晶铸锭系统，能够改善氧分布均匀性及，并控制其含量，提高电池片的转换效率，降低多晶硅片中的光衰比例。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例提供的第一种多晶铸锭系统如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种多晶铸锭系统的坩埚示意图，该系统包括坩埚，所述坩埚1的外围非接触式的设置有护板，该图中左侧为坩埚的整体示意，而右侧为圆圈位置的放大图，所述坩埚1的内壁刷涂有第一预设厚度的第一氮化硅涂层101，所述第一氮化硅涂层101的表面喷涂有第二预设厚度的第二氮化硅涂层102。

需要说明的是，现有技术中，坩埚喷涂前，内壁不做全部刷涂处理，在坩埚内壁直接喷涂一层氮化硅涂层，而本实施例中，先刷涂一层氮化硅涂层再喷涂一层氮化硅涂层，就能够增加涂层致密性程度，有效控制多晶硅中氧含量。

通过上述描述可知，本申请实施例提供的上述第一种多晶铸锭系统，由于包括坩埚，所述坩埚的外围非接触式的设置有护板，所述坩埚的内壁刷涂有第一预设厚度的第一氮化硅涂层，所述第一氮化硅涂层的表面喷涂有第二预设厚度的第二氮化硅涂层，因此能够改善氧分布均匀性，并控制其含量，提高电池片的转换效率，降低多晶硅片中的光衰比例。

本申请实施例提供的第二种多晶铸锭系统，是在上述第一种多晶铸锭系统的基础上，还包括如下技术特征：