[发明专利]一种CVD碳化硅材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710049992.0 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106835071A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 涂溶;徐青芳;章嵩;张联盟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/48 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 碳化硅 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种CVD碳化硅材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)将基板置于冷壁式化学气相沉积腔体中的加热台上，将真空度调至10Pa以下，加热基板，并保温；
(2)以稀释气将前驱体带入反应腔体，调节反应腔体内压强(Pdep)至400～800Pa；
(3)打开激光，激光波长为808nm，照射基板；
(4)调节激光功率，使基板温度(Tdep)升至1100～1200℃沉积薄膜，保温10min；
(5)停止通入稀释气和前驱体，关闭激光，抽真空至10Pa以下，材料自然冷却至室温。
2.根据权利要求1所描述的一种CVD碳化硅材料的制备方法，其特征在于步骤(1)中加热基板温度为600℃，保温时间30min。
3.根据权利要求1所描述的一种CVD碳化硅材料的制备方法，其特征在于步骤(2)采用Ar为稀释气，HMDS为前驱体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710049992.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：卷式石墨烯连续生长设备
- 下一篇：一种PECVD双面沉积设备
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
