[发明专利]Ga2O3肖特基二极管器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710050140.3 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106887470B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;邢翔宇;韩根全;李翔;方立伟;黄璐;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ga2o3 肖特基 二极管 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Ga2O3肖特基二极管器件结构，自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底和低掺杂n型Ga2O3外延层，该外延层上淀积有阳极电极，高掺杂衬底的下表面淀积有阴极电极，阳极与外延层接触的部分形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触，其特征在于：
所述低掺杂n型Ga2O3外延层上的肖特基接触区域两侧分别设有M个凹槽，M≥4，凹槽的间距在0.3μm～0.5μm范围内依次增加，且第一个凹槽位于阳极边缘的正下方，第M个凹槽与第一个凹槽的距离为10μm～15μm，凹槽内生长有Al组分大于20％的AlGaO。
2.根据权利要求1所述的一种Ga2O3肖特基二极管器件结构，其特征在于：
高掺杂n型Ga2O3衬底的载流子浓度为1017cm-3～1018cm-3，厚度大于1μm；
低掺杂n型Ga2O3外延层的载流子浓度为1014cm-3～1016cm-3，厚度大于1μm。
3.根据权利要求1所述的一种Ga2O3肖特基二极管器件结构，其特征在于：
阳极电极包括Pt、Ni、Au、Pd、Mo、W和TaN中的一种或多种；
阴极电极包括Ti、Al、In、Au中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种Ga2O3肖特基二极管器件结构，其特征在于：每个凹槽的深度为30nm～50nm，宽度为2μm～3μm。
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