[发明专利]高击穿电压场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高击穿电压场效应晶体管,自下而上包括衬底(1)、Ga₂O₃外延层(2)和低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，在离子注入区上分别设有源电极(5)和漏电极(6)，其特征在于：

所述绝缘栅介质(7)上设有其厚度为300nm～500nm有机绝缘介质(8)，该有机绝缘介质(8)采用由P(VDF-TrFE)、Ag纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)、ZnS纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)和CCTO纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)构成的薄膜介质材料；

所述有机绝缘介质(8)中设有长度为1μm～3μm的栅场板(9)，该栅场板上设置栅电极。

2.根据权利要求1所述的一种高击穿电压场效应晶体管，其特征在于：衬底(1)的材料采用蓝宝石或MgO或MgAl₂O₄或Ga₂O₃。

3.根据权利要求1所述的一种高击穿电压场效应晶体管，其特征在于：Ga₂O₃外延层(2)的电子浓度为10¹⁴cm^-3～10¹⁶cm^-3，厚度大于1μm。

4.根据权利要求1所述的一种高击穿电压场效应晶体管，其特征在于：低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)的载流子浓度10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3，厚度大于100nm。

5.根据权利要求1所述的一种高击穿电压场效应晶体管，其特征在于：离子注入区(4)注入的元素分别为Si、Ge或Sn中的一种或多种，注入浓度大于2×10¹⁹cm^-3。

6.根据权利要求1所述的一种高击穿电压场效应晶体管，其特征在于：绝缘栅介质(7)包括Si₃N₄、Al₂O₃、HfO₂和HfSiO中的一种或多种，其厚度为20nm～30nm。