[发明专利]存储器电荷存储结构中的吸气剂

权利要求书

1.一种存储器单元，其包括：

半导体上的第一电介质；

所述第一电介质上的电荷存储结构；

所述电荷存储结构上的第二电介质；及

所述第二电介质上的控制栅极；

其中所述电荷存储结构包括含硅材料、用于减轻所述含硅材料的氧化风险的金属以及在所述含硅材料和所述金属之间的反应产物。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述含硅材料选自由非晶硅、单晶硅及多晶硅组成的群组。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述金属包含选自由锆、铍和镁组成的群组中的一种或多种金属。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述金属包含选自由锆、铍、镁、钙、锶、稀土金属、钍、铀、铪、铝和钛组成的群组中的一种或多种金属。

5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中所述稀土金属选自由钪、钇、镧组成的群组。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述金属的至少一部分并入到所述含硅材料中。

7.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述金属的至少一部分并入到所述含硅材料的仅一部分中。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述金属的一部分位于所述含硅材料上，且使所述含硅材料与所述第二电介质分离。

9.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电荷存储结构中较靠近所述第二电介质的所述金属的浓度大于较靠近所述第一电介质的所述金属的浓度。

10.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述含硅材料在较靠近所述第一电介质的所述含硅材料的一部分中缺乏所述金属的任何部分。

11.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电荷存储结构包含一种或多种金属，且其中所述电荷存储结构中的所述一种或多种金属的浓度在所述含硅材料的至少一部分中大于或等于1E19/cm³。

12.根据权利要求11所述的存储器单元，其中所述电荷存储结构中所述一种或多种金属的浓度在所述含硅材料中的所述至少一部分中大于50原子百分比。

13.一种形成存储器单元的方法，其包括：

在半导体上形成第一电介质；

在所述第一电介质上形成电荷存储材料的例项；

在电荷存储材料的所述例项上形成用于减轻所述电荷存储材料的氧化风险的金属的例项；

使电荷存储材料的所述例项与金属的所述例项的仅一部分反应，从而界定包含金属的所述例项的未反应部分的电荷存储结构；

在所述电荷存储结构上形成第二电介质；及

在所述第二电介质上形成控制电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中使电荷存储材料的所述例项与金属的所述例项的仅一部分反应是在形成所述第二电介质期间或之后发生。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成电荷存储材料的所述例项包含形成含硅材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述含硅材料包含形成所述含硅材料以具有选自由半导体及导体组成的群组的导电率。

17.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述含硅材料包含形成选自由非晶硅、单晶硅及多晶硅组成的群组中的所述含硅材料。

18.根据权利要求13所述的方法，其中形成金属的所述例项包含形成选自由锆、铍和镁组成的群组中的金属。