[发明专利]一种蓝绿光发光二极管的外延片及制备方法在审
| 申请号： | 201710051020.5 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106816503A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蓝绿 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种蓝绿光发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括平片衬底和依次层叠在所述平片衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，其中，所述AlN缓冲层的厚度为dnm，5≤d＜25。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为10nm～25nm。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述有源层包括交替层叠的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述InGaN阱层的厚度为2.8nm～3.8nm，所述GaN垒层的厚度为5nm～30nm。
4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型GaN层的厚度为1μm～4μm。
5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型GaN层的厚度为100nm～500nm。
6.一种蓝绿光发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一平片衬底；
在所述平片衬底上外延生长AlN缓冲层；
在所述AlN缓冲层上生长u型GaN层；
在所述u型GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长有源层；
在所述有源层上生长P型GaN层，
其中，所述AlN缓冲层的厚度为dnm，5≤d＜25。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的生长温度为1000～1100℃。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述有源层包括交替层叠的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述多个InGaN阱层的生长温度为790～820℃，所述多个GaN垒层的生长温度为910～940℃。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述N型GaN层的生长温度为1210～1240℃。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述P型GaN层的生长温度为980～1010℃。
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