[发明专利]硅基未知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器有效

专利信息
申请号: 201710052732.9 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN106771605B 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 廖小平;褚晨蕾 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01R25/00 分类号: G01R25/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 未知 频率 缝隙 耦合 间接 毫米波 相位 检测器
【权利要求书】:

1.一种硅基未知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器,其特征在于,该相位检测器制作在高阻Si衬底(3)上,是由共面波导传输线(5)、一号缝隙耦合结构(7-1)、二号缝隙耦合结构(7-2)、三号缝隙耦合结构(7-3)、四号缝隙耦合结构(7-4)、移相器(6)、一号单刀双掷开关(19)、二号单刀双掷开关(20)、一个T型结功分器、三个T型结功合器以及五个间接式热电式功率传感器所构成,具体结构的连接关系如下:第一端口(1-1)是信号输入端,一号缝隙耦合结构(7-1)和二号缝隙耦合结构(7-2)位于共面波导传输线(5)上侧地线,三号缝隙耦合结构(7-3)和四号缝隙耦合结构(7-4)则位于共面波导传输线(5)下侧地线,这两对缝隙关于中心信号线对称,这两对缝隙之间由一个移相器(6)隔开,首先来看频率检测模块(1),一号缝隙耦合结构(7-1)连接到第二端口(1-2),第二端口(1-2)与一号单刀双掷开关(19)的输入端相连,一号单刀双掷开关(19)的输出端分别连接到一号T型结功合器和一号间接式热电式功率传感器,同样的,二号缝隙耦合结构(7-2)连接到第三端口(1-3),第三端口(1-3)与二号单刀双掷开关(20)的输入端相连,二号单刀双掷开关(20)的输出端分别连接到一号T型结功合器和二号间接式热电式功率传感器,而一号T型结功合器的输出端连接到三号间接式热电式功率传感器;再看相位检测模块(2),三号缝隙耦合结构(7-3)与第四端口(1-4)相连,第四端口(1-4)连接到二号T型结功合器,四号缝隙耦合结构(7-4)与第五端口(1-5)相连,第五端口(1-5)连接到三号T型结功合器,参考信号通过四号T型结功分器的输入端输入,四号T型结功分器的输出端分别连接到二号T型结功合器和三号T型结功合器,然后,二号T型结功合器的输出端连接四号间接式热电式功率传感器,三号T型结功合器的输出端连接五号间接式热电式功率传感器,第六端口(1-6)处连接着后续处理电路。

2.如权利要求1所述的硅基未知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器,其特征在于,一号单刀双掷开关(19)和二号单刀双掷开关(20)是由共面波导传输线(5)、锚区(22)、Si3N4介质层(23)、开关下拉电极板(24)和开关梁(21)组成的,共面波导传输线(5)连接到锚区(22)上,锚区(22)与两条不同支路上的开关梁(21)相连接,其中一条支路连接间接式热电式功率传感器,另一条支路连接T型结功合器的输入端,开关梁(21)下方存在着一层空气间隙,在这个空气间隙中安置有开关下拉电极板(24),而在开关下拉电极板(24)上还覆盖着一层Si3N4介质层(23)。

3.如权利要求1所述的硅基未知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器,其特征在于,T型结功分器和T型结功合器的结构是相同的,主要由共面波导传输线(5)、两个扇形缺陷结构(14)和三个空气桥(15)构成,扇形缺陷结构(14)是位于两个输入端口处的扇形形状的缺陷地结构,而空气桥(15)是位于中心信号线上方的梁结构。

4.如权利要求1所述的硅基未知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器,其特征在于,采用间接式热电式功率传感器来实现热电转换,它主要由共面波导传输线(5)、两个电阻(8)以及热电堆(9)所构成,而热电堆(9)又是由P型半导体臂(10)和N型半导体臂(11)通过欧姆接触(12)级联组成,其中共面波导传输线(5)与两个电阻(8)相连,而热电堆(9)与电阻(8)之间有一段间隔。

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