[发明专利]一种低温硫化氢气敏材料及制备方法有效
| 申请号： | 201710052874.5 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN106885830B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 崔光亮;张品华;张杰;王晓丽;陈丽 | 申请（专利权）人： | 临沂大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00;C25B1/00;C25D5/54;C25D9/04 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 董宝锞 |
| 地址： | 276005 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 硫化 氢气 材料 制备 方法 | ||
1.一种低温硫化氢气敏材料，其特征在于：所述低温硫化氢气敏材料是由连续分布的Cu2O和周期性间隔分布的Co3O4构成的纳米线周期性阵列结构。
2.根据权利要求1所述的低温硫化氢气敏材料，其特征在于：所述低温硫化氢气敏材料是基于Cu2O与Cu2O-Co3O4复合物的横向周期性异质结构有序阵列材料。
3.一种权利要求1所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)采用去离子水、Cu(NO3)2和Co(NO3)2电解质原材料配置电解液；
(2)在控温生长室内，以表面氧化处理的硅片或玻璃片作为基底，把两片铜箔片电极平行的放在基底上面，在两电极间滴加电解液，盖上盖玻片；
(3)用控温生长室内的制冷元件将电解液制冷结冰，并保持恒温状态放置20-40分钟；
(4)在电极上施加半正弦波形沉积电压使电解质沉积；
(5)沉积结束后取出基底并用去离子水清洗，得到附着在基底上的Cu2O/Co3O4基低温H2S气敏材料。
4.根据权利要求3所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中去离子水：Cu(NO3)2：Co(NO3)2＝5mL：6mM：3mM。
5.根据权利要求4所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的电解液pH值为3.5-4.5。
6.根据权利要求5所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的控温生长室内温度为-4.5℃。
7.根据权利要求6所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于：步骤(4)所述的电压幅度为0.5V-1.5V，周期性电压频率为0.2-1.2Hz。
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