[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的宽带隙半导体基板，包括带隙比硅宽的半导体；

第一导电型的宽带隙半导体堆积层，堆积于所述宽带隙半导体基板的正面，且杂质浓度比所述宽带隙半导体基板的杂质浓度低；

第二导电型区，选择性地设置于所述宽带隙半导体堆积层的相对于所述宽带隙半导体基板侧为相反侧的表面层；

第一导电型区，选择性地设置于所述第二导电型区内；

栅极绝缘膜，设置于所述宽带隙半导体堆积层的被所述第二导电型区夹住的部分的表面、以及所述第二导电型区的表面；

栅电极，设置于所述栅极绝缘膜上；

层间绝缘膜，覆盖所述栅电极；

接触孔，开口于所述层间绝缘膜，且到达所述第二导电型区和所述第一导电型区；

镍硅化物层，在所述接触孔的底面与所述第二导电型区和所述第一导电型区接触；

表面电极，设置于所述镍硅化物层上；以及

背面电极，设置于所述宽带隙半导体基板的背面，

其中，所述栅极绝缘膜与所述层间绝缘膜的在所述接触孔露出的端部被氮化钛膜覆盖。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在包括带隙比硅宽的半导体的第一导电型的宽带隙半导体基板的正面形成杂质浓度比所述宽带隙半导体基板的杂质浓度低的第一导电型的宽带隙半导体堆积层的工序；

在所述宽带隙半导体堆积层的表面层选择性地形成第二导电型区的工序；

在所述第二导电型区内选择性地形成第一导电型区的工序；

在所述宽带隙半导体堆积层的被所述第二导电型区夹住的部分的表面以及所述第二导电型区的表面形成栅极绝缘膜的工序；

在所述栅极绝缘膜上形成栅电极的工序；

在所述栅极绝缘膜以及所述栅电极上形成层间绝缘膜的工序；

将所述层间绝缘膜开口，形成到达所述第二导电型区和所述第一导电型区的接触孔的工序；

用氮化钛膜覆盖所述层间绝缘膜、以及通过所述接触孔而露出的所述第二导电型区和所述第一导电型区的工序；

通过回蚀刻使所述氮化钛膜仅残留在所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的在接触孔露出的端部的工序；

用镍膜覆盖所述层间绝缘膜、以及通过所述接触孔而露出的所述第二导电型区和所述第一导电型区的工序；

去除与所述层间绝缘膜直接接触的所述镍膜的工序；

对所述镍膜进行加热，形成镍硅化物层的工序；

在所述镍硅化物层上形成表面电极的工序；以及

在所述宽带隙半导体基板的背面形成背面电极的工序。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，去除所述镍膜的工序中，通过在所述栅电极旁的平坦部形成抗蚀图案，来去除与所述层间绝缘膜直接接触的所述镍膜。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，去除所述镍膜的工序中，将所述抗蚀图案形成为在从所述层间绝缘膜的端部和所述栅极绝缘膜的端部朝向所述栅电极的方向上比用于形成所述接触孔的抗蚀图案大0.2～0.8μm。