[发明专利]一种磁共振发射前端、芯片及系统有效
申请号: | 201710053558.X | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN108347103B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 徐宝华;朱文广;梁展春 | 申请(专利权)人: | 中惠创智(深圳)无线供电技术有限公司 |
主分类号: | H02J50/12 | 分类号: | H02J50/12 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518172 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁共振 发射 前端 芯片 系统 | ||
本发明公开了一种磁共振发射前端、芯片及系统,包括用于输出驱动信号的磁共振发射前端本体;控制端与磁共振发射前端本体的输出端连接、输出端与负载连接、用于对驱动信号进行功率放大,并用放大后的驱动信号驱动负载的功率器件。可见,本发明不仅包括用于输出驱动信号的磁共振发射前端本体,还包括用于对磁共振发射前端本体输出的驱动信号进行功率放大的功率器件,从而使得用户在使用时,直接将磁共振发射前端连接在负载上即可,对用户的要求低,操作方便,错误率低,极大地提高了用户体验。
技术领域
本发明涉及无线供电技术领域,特别是涉及一种磁共振发射前端、芯片及系统。
背景技术
磁共振发射前端是一款用于无线供电的装置,它集信号源和驱动放大器于一体,用于驱动电器设备。现有技术中,当磁共振发射前端用于驱动中大功率电器设备时,需要磁共振发射前端的输出端输出的驱动信号有着强劲的驱动能力,为了增大驱动信号的驱动能力,需要在现有的磁共振发射前端的输出端外接功率器件,例如IGBT(Insulated GateBipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管),在这过程中也就需要用户自己对磁共振发射前端和驱动器件构成的驱动电路进行搭建,一方面,对于用户有着较高的专业要求,另一方面,搭建过程繁琐,且容易出错,用户体验不佳。
因此,如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种磁共振发射前端,从而使得用户在使用时,直接将磁共振发射前端连接在负载上即可,对用户的要求低,操作方便,错误率低,极大地提高了用户体验;本发明的另一目的是提供一种磁共振发射芯片;本发明的另一目的是提供一种包括上述磁共振发射芯片的磁共振发射系统。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种磁共振发射前端,包括:
用于输出驱动信号的磁共振发射前端本体;
控制端与所述磁共振发射前端本体的输出端连接、输出端与负载连接、用于对所述驱动信号进行功率放大,并用放大后的驱动信号驱动所述负载的功率器件。
优选地,还包括:
第一输入端与第一基准电压连接、第二输入端与负载电流的采样电压连接、输出端与第一执行单元的第一端连接,用于当所述采样电压大于所述第一基准电压时,控制所述第一执行单元动作,进而控制所述磁共振发射前端本体停止输出驱动信号的电流比较器;
第二端与所述磁共振发射前端本体连接的所述第一执行单元。
优选地,还包括:
第一输入端与第二基准电压连接、第二输入端与采集所述磁共振发射前端的温度、并将所述温度转换成电压的温度传感器连接、输出端与第二执行单元的第一端连接,用于当所述温度传感器输出的电压大于所述第二基准电压时,控制所述第二执行单元动作,进而控制所述磁共振发射前端本体停止输出驱动信号的温度比较器;
第二端与所述磁共振发射前端本体连接的所述第二执行单元。
优选地,还包括:
或门;
第一输入端与第一基准电压连接、第二输入端与负载电流的采样电压连接、输出端与所述或门的第一输入端连接的电流比较器;其中,电流比较器的第一输入端为反向输入端,电流比较器的第二输入端为正相输入端;
第一输入端与第二基准电压连接、第二输入端与采集所述磁共振发射前端的温度、并将所述温度转换成电压的温度传感器连接、输出端与所述或门的第二输入端连接的温度比较器;
第一端与所述或门的输出端连接、第二端与所述磁共振发射前端本体连接的第三执行单元,用于当所述采样电压大于所述第一基准电压和/或所述温度传感器输出的电压大于所述第二基准电压时,控制所述磁共振发射前端本体停止输出驱动信号。
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