[发明专利]形成在PCB支撑结构处的MEMS压电式换能器有效
申请号: | 201710053988.1 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN107032291B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 乔纳森·西尔瓦诺·德索萨;尼克·雷诺-贝兹特 | 申请(专利权)人: | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李丙林;曹桓 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 pcb 支撑 结构 mems 压电 式换能器 | ||
1.一种微机电系统MEMS器件(100),包括:
由印刷电路板PCB材料形成的支撑结构(110);以及
形成在所述支撑结构(110)处的压电式换能器(120);
其中,所述压电式换能器(120)是至少部分地嵌入所述支撑结构(110)内的层结构。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件(100),其中,
所述PCB材料包括由以下组成的组中的至少一种:树脂、氰酸酯、玻璃、预浸材料、液晶聚合物、环氧树脂基的积层膜、FR4材料、陶瓷以及金属氧化物。
3.根据权利要求1所述的MEMS器件(100),其中,
所述PCB材料中的至少一种具有在20℃下处于在2.0x10-6/K至3.1x10-6/K之间的线性热膨胀系数(CTE)。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件(100),其中,
所述PCB材料中的至少一种具有比硅的弹性模量小的弹性模量。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件(100),其中,
所述压电式换能器(120)至少部分地由氮化铝(AlN)(122)制成。
6.根据权利要求1所述的MEMS器件(100),还包括:
开口(152),所述开口形成在所述支撑结构(110)内并且被设计成使得所述压电式换能器(120)的交互部分暴露于所述MEMS器件(100)的外部环境。
7.根据权利要求6所述的MEMS器件(100),还包括:
跨过所述开口(152)的柔性膜(130),其中所述膜(130)的至少一部分与所述压电式换能器(120)机械地耦接或者能够与所述压电式换能器(120)耦接。
8.根据权利要求6所述的MEMS器件(100),还包括:
附接至所述压电式换能器(120)的所述交互部分的惯性元件(140)。
9.一种微机电系统MEMS组件(390),包括:
部件承载件(392);以及
根据权利要求1所述的MEMS器件(100),其中,所述MEMS器件(100)安装在所述部件承载件(392)处,
其中,所述MEMS组件(390)还包括:
电子电路(394),所述电子电路安装在所述部件承载件(392)处并与所述MEMS器件(100)电连接。
10.一种用于制造微机电系统MEMS器件(100)的方法,所述方法包括:
通过使用印刷电路板PCB制造过程用PCB材料形成支撑结构(110);以及
在所述支撑结构(110)处形成压电式换能器(120);
其中,所述压电式换能器(120)是至少部分地嵌入所述支撑结构(110)内的层结构。
11.根据前述权利要求10所述的方法,还包括:
形成部件承载件(392);
其中,所述部件承载件(392)和所述支撑结构(110)用相同的PCB制造工艺形成,使得所述支撑结构(110)安装至所述部件承载件(392)。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,
形成所述支撑结构(110)以及形成所述压电式换能器(120)包括:
将所述压电式换能器(120)夹在所述支撑结构(110)的下部(112)与所述支撑结构(110)的上部(114)之间。
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