[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一封装件，包含一基板与位于该基板上的一晶粒，该晶粒通过一第一传导凸块而电连接至该基板；

一第二封装件，位于该第一封装件上，并且通过一第二传导凸块而电连接至该基板；以及

一粘着剂，位于该晶粒与该第二封装件之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒通过该粘着剂附接至该第二封装件。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该粘着剂具热传导性或是具有0.01至100W/(m·K)的等效热传导性。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该粘着剂包含铝、银、碳、或具有热传导性实质大于或等于25W/(m·K)的粒子。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒、该第一传导凸块、以及该第二传导凸块位于该基板与该第二封装件之间。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒被该第二传导凸块环绕。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板包含一第一表面以及与该第一表面对立的一第二表面，以及该第一传导凸块与该第二传导凸块位于该第一表面上。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该基板包含位于该第二表面上的一第三传导凸块。

9.如权利要求8所述的半导体结构，另包括一电路板，通过该第三传导凸块而与该基板接合。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一传导凸块被一底胶填充材料环绕。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒包含一第三表面以及与该第三表面对立的一第四表面，该粘着剂位于该第三表面上，以及该第一传导凸块位于该第四表面上。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒被一模制件囊封，以及该粘着剂位于该模制件上。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二传导凸块的高度实质大于该晶粒的厚度。

14.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一第一封装件，该第一封装件包含一基板以及位于该基板上的一晶粒，该晶粒通过一第一传导凸块而电连接至该基板；

提供一第二封装件，该第二封装件包含一第二传导凸块；

配置一粘着剂于该晶粒或该第二封装件上；以及

通过该第二传导凸块而接合该第二封装件与该基板，

其中该粘着剂位于该晶粒与该第二封装件之间。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中通过涂覆或点胶而配置该粘着剂。

16.如权利要求14所述的制造方法，其中当该第二传导凸块与该基板接合时，该粘着剂接触该晶粒与该第二封装件。

17.如权利要求14所述的制造方法，其中该粘着剂经配置以自该晶粒将热传向该第二封装件。

18.如权利要求14所述的制造方法，其中在该第二封装件与该基板接合之后，加热该半导体结构。

19.如权利要求18所述的制造方法，其中该第二封装件的曲度与该基板的曲度实质相同。

20.如权利要求14所述的制造方法，还包括将该第二封装件对准该基板。