[发明专利]开关放大器

权利要求书

1.一种开关放大器，包括：

第一放大器；

第二放大器；

所述第一放大器和所述第二放大器共用的输入匹配网络；和

至少一个开关，用于经由输入匹配网络将开关放大器的输入耦合到第一放大器或第二放大器中的一个。

2.根据权利要求1所述的开关放大器，进一步包括：

偏置产生电路，当所述输入经由所述输入匹配网络耦合到所述第一放大器时，向所述第一放大器提供第一偏置电流，以及当所述输入经由所述输入匹配网络耦合到所述第二放大器时，向所述第二放大器提供第二偏置电流，其中所述第二偏置电流小于所述第一偏置电流。

3.根据权利要求2所述的开关放大器，进一步包括：

偏置控制电路，用于：

接收低功率模式信号；和

响应于所述低功率模式信号的接收，使所述偏置产生电路产生所述第二偏置电流。

4.根据权利要求3所述的开关放大器，其中，所述偏置控制电路还用于响应于所述低功率模式信号的接收，使所述至少一个开关经由所述输入匹配网络将所述输入耦合到所述第二放大器。

5.根据权利要求3所述的开关放大器，其中所述偏置控制电路进一步：

接收额定功率模式信号；和

响应于所述额定功率模式信号的接收，使所述偏置产生电路产生所述第一偏置电流。

6.根据权利要求5所述的开关放大器，其中，所述偏置控制电路还用于响应于所述额定功率模式信号的接收，使所述至少一个开关经由所述输入匹配网络将所述输入耦合到所述第一放大器。

7.根据权利要求5所述的开关放大器，其中，所述偏置控制电路进一步：

接收偏置电平信号；

响应于所述额定功率模式信号和所述偏置电平信号的接收，在额定功率模式电流范围内识别对应于所述偏置电平信号的电流值；和

使所述偏置产生电路产生所述第一偏置电流，其中所述第一偏置电流具有所述电流值。

8.根据权利要求3所述的开关放大器，其中所述偏置控制电路进一步：

接收偏置电平信号；

响应于所述低功率模式信号和所述偏置电平信号的接收，在低功率模式电流范围内识别对应于所述偏置电平信号的电流值；和

使得所述偏置产生电路产生所述第二偏置电流，其中所述第二偏置电流具有所述电流值。

9.根据权利要求1所述的开关放大器，进一步包括：

所述第一和第二放大器共用的输出匹配网络。

10.根据权利要求9所述的开关放大器，进一步包括：

至少一个开关，用于经由所述输出匹配网络将开关放大器的输出耦合到第一放大器或第二放大器中的一个。

11.根据权利要求1所述的开关放大器，其中，所述第一和第二放大器是跨导放大器。

12.根据权利要求1所述的开关放大器，进一步包括：

第三放大器；

其中，所述输入匹配网络对于所述第一、第二和第三放大器是公共的，并且所述至少一个开关经由所述输入匹配网络将所述输入耦合到所述第一放大器、所述第二放大器或所述第三放大器中的一个。

13.根据权利要求1所述的开关放大器，其中，所述第一放大器包括第一双极结型晶体管(BJT)，以及所述第二放大器包括第二双极结型晶体管。

14.根据权利要求13所述的开关放大器，进一步包括：

包括一对电流镜BJT的偏置产生电路。

15.根据权利要求14所述的开关放大器，其中，所述偏置产生电路进一步包括一对β辅助BJT。

16.根据权利要求13所述的开关放大器，其中，所述第一放大器具有级联拓扑。

17.根据权利要求13所述的开关放大器，其中，所述第一和第二BJT布置在共发射极配置中。

18.根据权利要求1所述的开关放大器，其中，所述第一放大器包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，以及所述第二放大器包括第二MOSFET。