[发明专利]一种碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜的制备方法，其特征在于：通过电化学沉积法同时实现一维CuSCN纳米棒阵列薄膜和碳量子点在纳米棒阵列薄膜表面的负载，具体技术方案如下：

(1)将一定质量的柠檬酸溶于80～100mL的去离子水，转移至反应釜在一定温度下进行水热反应20～24h，获得无色透明溶液，经过滤、离心后获得分散均一、水溶性良好的碳量子点溶液；

(2)在步骤(1)所得的碳量子点水溶液中，按照一定的摩尔比例依次加入CuSO₄、乙二胺四乙酸和KSCN，经搅拌溶解后配制成电解液溶液；

(3)将步骤(2)配制的电解液溶液转移至配有铂丝对电极、甘汞参比电极和清洗干净的FTO或ITO导电玻璃的三电极体系的电化学反应槽中，利用电化学工作站在导电玻璃表面进行电化学沉积，沉积电位为-0.1～-0.4V，沉积电量为20～60mC/cm²；

(4)将步骤(3)反应结束后的导电玻璃取出，用去离子水冲洗2～3遍，在60℃烘箱烘干后，即可获得碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜。

2.根据权利要求1所制备的碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜，其特征在于：该薄膜具有排列规则的一维硫氰酸亚铜纳米棒阵列结构，碳量子点颗粒均匀地分布在纳米棒阵列表面；其中，硫氰酸亚铜纳米棒直径为80～90nm，碳量子点颗粒粒径为3～5nm。

3.根据权利要求1所述的碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中柠檬酸加入量为1.5～2.0g，水热反应温度为200～220℃。

4.根据权利要求1所述的碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中CuSO₄、乙二胺四乙酸和KSCN加入的摩尔比为1∶1∶0.25～2，使得配制的电解液溶液中CuSO₄和乙二胺四乙酸的摩尔浓度均为12mmol/L，KSCN摩尔浓度为3～24mmol/L。

5.根据权利要求1所述的碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中电化学沉积电位为-0.1～-0.4V，沉积电量为20～60mC/cm²。