[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710056204.0 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106997868B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 门井圣明 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，在具有中空构造的封装件的内部搭载半导体元件，其特征在于：在所述封装件的表面，具有测定由于所述中空构造的内压变化而产生的所述封装件形状的应变的压力量度，
所述压力量度由正交的多个直线构成且为两刃梳状。
2.一种半导体装置，在具有中空构造的封装件的内部搭载半导体元件，其特征在于：在所述封装件的表面，具有测定由于所述中空构造的内压变化而产生的所述封装件形状的应变的压力量度，
所述压力量度由同心圆构成。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述压力量度设置在所述封装件的第1面。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第1面为所述半导体装置的上面。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第1面为所述半导体装置的侧面。
6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第1面与标记有所述封装件的识别信息的面不同。
7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第1面的厚度比所述封装件的其他面薄。
8.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第1面的一部分的厚度比所述封装件的其他面薄。
9.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述压力量度由多个部件构成，所述多个部件由第1压力量度及第2压力量度构成。
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