[发明专利]用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元及应用

权利要求书

1.一种用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元，其特征在于，其主体从上到下依次设有冷却腔（26），CVD反应腔（28），密封柄（29）；左右分别设有生长气进气口法兰（25），生长气出气口法兰（27）；前后分别设有压缩空气进气口（30），压缩空气出气口（31）。

2.如权利要求书1所述的外延生长单元，其特征在于，所述的CVD反应腔（28）的长度l₁为350-450mm、宽度l₃为240-340mm、高度h₁为40-50mm，冷却腔（26）的长度l₄为300-420mm、宽度l₂为320-420mm、高度h2为20-40mm，外延生长单元（15）的材料为高纯石英。

3.一种采用如权利要求1所述的外延生长单元的用于制造硅外延片的单片式外延炉，其特征在于，从左到右依次设有：炉门（3）、硅片盒升降电机（1）、机械手（5）、外延生长气导入组件（6）、外延生长单元（15）、外延生长废气收集组件（18）、外延生长废气排气管（12）、外延生长气体阀组（13）；在硅片盒升降电机（1）的上方放置硅片盒（2）；在机械手（5）的下方设有机械手电机（4）；在外延生长单元（15）的上方从上到下依次设有排风管（8）、风机（9）、风管（10）、辐射高温计（11）、卤钨灯组加热器（14）；在外延生长单元（15）的下方从上到下依次设有基座旋转轴（22）、高频感应线圈（19）、冷却水槽（24）、基座旋转电机（23）；在外延生长单元（15）内从左到右依次设有前导流板（7）、石墨基座（17）、后导流板（33）、外延基座（17）的硅片槽（32）放置硅片（16）。

4.如权利要求书1所述的单片式外延炉，其特征在于，所述的高频感应线圈（19），形状为螺旋形，直径d₁为220-320mm。

5.如权利要求书1所述的单片式外延炉，其特征在于，所述的卤钨灯组加热器（14），直径d₂为280-380mm，灯泡为卤钨灯泡（44），每个灯泡的功率为1500-2500kw，灯泡数量为20-30只。