[发明专利]能隙参考电路

权利要求书

1.一种能隙参考电路，包括：

第一运算放大器，其具有第一输入，第二输入和第一输出；

第二运算放大器，其具有第三输入，第四输入和第二输出；

第一电流源，耦接于供应电源节点和该第一运算放大器的该第一输入之间；

第二电流源，耦接于该供应电源节点和该第一运算放大器的该第二输入之间；

第三电流源，耦接于该供应电源节点和该第二运算放大器的该第三输入之间；

第一双极性晶体管，其具有基极，具有耦接至该第一电流源的发射极，和具有耦接至接地节点的集电极；

第二双极性晶体管，其具有耦接至该第一双极性晶体管的该基极的基极，具有发射极，和具有耦接至该接地节点的集电极；

反馈元件，耦接于该第三电流源和该第二双极性晶体管的该基极之间，该反馈元件由该第二运算放大器的该第二输出所控制；以及

分压电路，用以对该第二运算放大器的该第三输入和该第二双极性晶体管的该基极之间的电压差值进行分压以提供参考电压；

其中，该第二运算放大器的该第四输入耦接至该第一运算放大器的该第一输入和该第一运算放大器的该第二输入两者中的其中一者。

2.根据权利要求1所述的能隙参考电路，还包括第二电阻，该第二电阻耦接于该第二双极性晶体管的该基极和该接地节点之间。

3.根据权利要求2所述的能隙参考电路，其中该分压电路包括：

多个电阻，所述电阻串联连接于该第二运算放大器的该第三输入和该第二双极性晶体管的该基极之间，以提供该参考电压。

4.根据权利要求2所述的能隙参考电路，其中该反馈元件为PMOS晶体管，其具有耦接至该第一双极性晶体管的该基极的漏极，耦接至该第二运算放大器的该第三输入的源极，和耦接至该第二运算放大器的该第二输出的栅极。

5.根据权利要求2所述的能隙参考电路，其中该反馈元件为NMOS晶体管，其具有耦接至该第一双极性晶体管的该基极的源极，耦接至该第二运算放大器的该第三输入的漏极，和耦接至该第二运算放大器的该第二输出的栅极。

6.根据权利要求2所述的能隙参考电路，其中该参考电压的正温度系数藉由增加该第三电流源对该第二电流源的电流值比值来获得。

7.根据权利要求2所述的能隙参考电路，其中该参考电压的正温度系数藉由增加该第二电阻对该第一电阻的电阻比值来获得。

8.根据权利要求3所述的能隙参考电路，其中该参考电压的负温度系数藉由调整该分压电路中所述电阻的阻值来获得。

9.根据权利要求2所述的能隙参考电路，其中该参考电压小于1.25V。

10.根据权利要求2所述的能隙参考电路，其中该参考电压等于0.63V。