[发明专利]压力传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710058129.1 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108344532A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 何羽轩;蔡明志;谢明宏 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压力传感器 绝缘层 薄膜晶体管阵列 二维材料 感压层 交替堆叠 平面排列 一维材料 解析度 制造 覆盖 | ||
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：
薄膜晶体管阵列；以及
感压层，覆盖所述薄膜晶体管阵列，其中所述感压层包括在相同平面排列的多个一维材料以及多层绝缘层，所述多个一维材料和所述多层绝缘层交替堆叠。
2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述感压层为感应电阻式。
3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述一维材料的直径为5nm-100nm。
4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述一维材料的长径比大于100。
5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述一维材料包括金属纳米线、纳米碳管或金属氧化物半导体。
6.根据权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，所述金属纳米线的金属包括金、银或铜。
7.根据权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，所述金属氧化物半导体包括氧化锌、氧化钛、氧化钨、氧化钼、氧化钒、氧化铜、氧化镍、氧化钴、氧化铁或氧化锡。
8.一种压力传感器，其特征在于，包括：
薄膜晶体管阵列；以及
感压层，覆盖所述薄膜晶体管阵列，其中所述感压层包括多个二维材料以及多层绝缘层，所述多个二维材料和所述多层绝缘层交替堆叠。
9.根据权利要求8所述的压力传感器，其特征在于，所述二维材料包括石墨烯氧化物或二硫化钼。
10.根据权利要求8所述的压力传感器，其特征在于，所述感压层为感应电阻式。
11.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，包括：
形成一薄膜晶体管阵列；以及
在所述薄膜晶体管阵列上利用3D打印形成一感压层，所述感压层包括交替堆叠的多层绝缘层以及于相同平面排列的多个一维材料或多个二维材料。
12.根据权利要求11所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，所述一维材料的直径为5nm-100nm。
13.根据权利要求11所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，所述一维材料的长径比大于100。
14.根据权利要求11所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，所述一维材料包括金属纳米线、纳米碳管或金属氧化物半导体，所述二维材料包括石墨烯氧化物或二硫化钼。
15.根据权利要求14所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，所述金属纳米线的金属包括金、银或铜，所述金属氧化物半导体包括氧化锌、氧化钛、氧化钨、氧化钼、氧化钒、氧化铜、氧化镍、氧化钴、氧化铁或氧化锡。
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