[发明专利]一种对集流体进行修饰的方法、集流体及储能装置

权利要求书

1.一种对集流体进行修饰的方法，其特征在于，包括：

在集流体基底上生长垂直于所述集流体基底的碳纳米管阵列；

在具有所述碳纳米管阵列的所述集流体基底上生长垂直于所述碳纳米管阵列的石墨烯层，其中，所述碳纳米管阵列中的碳纳米管垂直穿过所述石墨烯层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在集流体基底上生长垂直于所述集流体基底的碳纳米管阵列，包括：

采用化学气相沉积CVD工艺、固相热解工艺或溅射工艺在所述集流体基底上生长垂直于所述集流体基底的所述碳纳米管阵列。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在集流体基底上生长垂直于所述集流体基底的碳纳米管阵列，包括：

在所述集流体基底上沉积催化剂颗粒，所述催化剂颗粒为金属、金属化合物以及合金中的任一种；

对所述集流体基底加热，并采用CVD工艺以碳源气体为反应气体，在所述催化剂颗粒的催化作用下在所述集流体基底上生长所述碳纳米管阵列。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在生长所述石墨烯层之后，还包括：

刻蚀去除所述集流体基底上的所述催化剂颗粒。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，在具有所述碳纳米管阵列的所述集流体基底上生长垂直于所述碳纳米管阵列的石墨烯层，包括：

采用CVD工艺基于碳源气体在具有所述碳纳米管阵列的所述集流体基底表面生长所述石墨烯层。

6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1～50μm。

7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述石墨烯层与所述碳纳米管阵列的质量比在10～15:1范围内。

8.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管以及多壁碳纳米管中的至少一个。

9.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述集流体基底为碳纤维基底、石墨烯基底、石墨烯插层化合物基底、碳纳米管基底、金属基底、合金基底中的任一项。

10.一种集流体，其特征在于，包括：

集流体基底；

设置在所述集流体基底上且垂直于所述集流体基底的碳纳米管阵列；以及

设置在所述碳纳米管阵列上且垂直于所述碳纳米管阵列的石墨烯层，其中，所述碳纳米管阵列中的碳纳米管垂直穿过所述石墨烯层。

11.一种储能装置，其特征在于，包括第一电极、第二电极、电解液、第一集流体以及第二集流体；

其中，电解液设置在所述第一电极以及所述第二电极之间，电荷通过所述电解液在所述第一电极与所述第二电极之间传输；所述第一集流体设置在所述第一电极上，用于导出所述第一电极上的电荷；所述第二集流体设置在所述第二电极上，用于导出所述第二电极上的电荷；所述第一集流体和/或所述第二集流体具有如权利要求10所述集流体的结构。