[发明专利]一种MEMS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201710059049.8 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108341395B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王明军;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 牺牲层 刻蚀停止层 去除 晶圆 开口 制作 碗形轮廓 背腔 良率 破损 背面 平整 残留 保证 生产 | ||
1.一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面依次形成第一牺牲层和刻蚀停止层；
在所述第一牺牲层和刻蚀停止层上形成第二牺牲层；
在所述第二牺牲层上形成MEMS器件层，所述MEMS器件层由下至上依次包括振动膜、第三牺牲层和背板；
在所述MEMS晶圆的背面形成与所述刻蚀停止层对应的开口，所述开口露出部分所述第一牺牲层；
去除露出的所述第一牺牲层，以完全露出所述刻蚀停止层；
去除露出的所述刻蚀停止层；
去除露出的所述第二牺牲层，以形成背腔。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层包括多晶硅层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层和第二牺牲层包括氧化物层。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述刻蚀停止层的方法包括各向同性刻蚀。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层的方法包括过氧化物缓冲刻蚀。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的图案与所述开口的图案完全一致。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述开口的方法包括深反应离子刻蚀。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MEMS器件包括MEMS麦克风。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三牺牲层包括氧化物层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，去除露出的所述第二牺牲层以形成背腔的同时还包括去除所述第三牺牲层，以形成位于所述振动膜和所述背板之间的空腔的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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