[发明专利]电平转换电路在审
| 申请号： | 201710059449.9 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108233917A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陆建华;马杰;周帅林 | 申请（专利权）人： | 江苏安其威微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/007 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 226200 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电平转换电路 倒相器 电路 击穿电压 安全工作电压 外部电源电压 电平转换 工作点 保证 | ||
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：
第一倒相器，其输入端输入输入信号IN；
第二倒相器，其输入端与第一倒相器的输出端连接；
第三倒相器，其输入端与第二倒相器的输出端连接；
第一NMOS管，其源极端接地，栅极端连接第一倒相器的输出端；
第二NMOS管，其源极端接地，栅极端连接第二倒相器的输出端；
第三NMOS管，其源极端接地，栅极端连接第三倒相器的输出端；
第四NMOS管，其源极端连接第一NMOS管的漏极端；
第五NMOS管，其源极端连接第二NMOS管的漏极端；
第六NMOS管，其源极端连接第三NMOS管的漏极端；
第一PMOS管；
第二PMOS管；
初级NPN管组，其包括第一NPN管和第二NPN管，第一NPN管的集电极与第一PMOS管的漏极端连接，基极与集电极连接，发射极与第四NMOS管的漏极端连接，第二NPN管的集电极与第二PMOS管的漏极端连接，基极与集电极连接，发射极与第五NMOS管的漏极端连接；
第三PMOS管，栅极端与第二PMOS管的漏极端连接；
第四PMOS管，其源极端与第三PMOS管的漏极端连接，漏极端与第六NMOS管的漏极端连接，其中，从第四PMOS管的源极端输出输出信号OUT。
2.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于：
所述第四NMOS管，所述第五NMOS管、所述第六NMOS管的栅极端分别输入低电位电压VDD，所述第一倒相器、所述第二倒相器、所述第三倒相器的电源电压为所述低电位电压VDD。
3.如权利要求1或2所述的电平转换电路，其特征在于：
所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管的源极端分别输入高电位电压VCC。
4.如权利要求1或2所述的电平转换电路，其特征在于：
所述第四PMOS管的栅极端输入微电流电压偏置。
5.如权利要求1或2所述的电平转换电路，其特征在于：
所述输入信号IN的范围为0.5V～2.5V，所述输出信号OUT的范围为3V～5V。
6.如权利要求1或2所述的电平转换电路，其特征在于，进一步包括：
一个以上的串级NPN管组，每一个串级NPN管组包括第一NPN管和第二NPN管，其中，每一个串级NPN管组中的第一NPN管的基极与集电极连接，第二NPN管的基极与集电极连接，并且
所述一个以上的串级NPN管组中的所有的第一NPN管按照一个第一NPN管的发射极与另一个第一NPN管的集电极连接的方式串行连接在所述初级NPN管组的所述第一NPN管的发射极与所述第四NMOS管的漏极端之间，其中，未被与所述一个以上的串级NPN管组中的第一NPN管的集电极连接的第一NPN管的发射极与所述第四NMOS管的漏极端连接，而未被与所述一个以上的串级NPN管组中的第一NPN管的发射极连接的第一NPN管的集电极与所述初级NPN管组的所述第一NPN管的发射极连接，
所述一个以上的串级NPN管组中的所有的第二NPN管按照一个第二NPN管的发射极与另一个第二NPN管的集电极连接的方式串行连接在所述初级NPN管组的所述第二NPN管的发射极与所述第五NMOS管的漏极端之间，其中，未被与所述一个以上的串级NPN管组中的第二NPN管的集电极连接的第二NPN管的发射极与所述第五NMOS管的漏极端连接，而未被与所述一个以上的串级NPN管组中的第二NPN管的发射极连接的第二NPN管的集电极与所述初级NPN管组的所述第二NPN管的发射极连接。
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