[发明专利]一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法在审
申请号: | 201710059503.X | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN106876378A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 姜理利;侯芳;郁元卫;朱健 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01L21/84 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 薄膜 集成 无源 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层薄膜集成无源器件,其特征在于,包括衬底材料,位于衬底上方的薄膜集成无源器件层,以及位于薄膜集成无源器件层上方的信号输入输出层;
所述薄膜集成无源器件层包括电容、电阻和电感,其中电感包括两个以上的信号耦合电感,层与层之间通过信号耦合电感实现信号互连;
信号输入输出层包括器件输入端、输入电感、输出电感和器件输出端,微波信号经器件输入端、输入电感、薄膜集成无源器件层、输出电感和器件输出端输出。
2.根据权利要求1所述的多层薄膜集成无源器件,其特征在于,所述薄膜集成无源器件层的层数为一层以上。
3.根据权利要求2所述的多层薄膜集成无源器件,其特征在于,所述多层薄膜集成无源器件层之间信号互连处的信号耦合电感位置重叠。
4.根据权利要求2所述的多层薄膜集成无源器件,其特征在于,顶层薄膜集成无源器件层与信号输入输出层信号互连处信号耦合电感位置和输入电感、输出电感位置重叠。
5.根据权利要求2所述的多层薄膜集成无源器件,其特征在于,多层薄膜集成无源器件层之间信号耦合电感的距离,以及顶层薄膜集成无源器件层与信号输入输出层的距离均为1~2um。
6.一种多层薄膜集成无源器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,在衬底材料上溅射金属层,并图形化出电容的下电极以及器件的互联信号传输线;
步骤2,在衬底材料上光刻出电阻的图形,溅射电阻层材料并剥离出电阻图形;
步骤3,在衬底材料上沉积电容的介质层,光刻出图形并采用干法进行刻蚀;
步骤4,溅射金属层并图形化腐蚀出电容的上电极;
步骤5,沉积介质层材料并图形化出电感图形,溅射电感的种子层并电镀至设定厚度,整片减薄抛光实现电感的图形化及表面的平坦化;在表面溅射金属并图形化实现无源器件间的部分互联,完成薄膜集成无源器件层的制作;
步骤6,沉积薄膜集成无源器件层与信号输入输出层之间用于电感耦合的材料,进行表面平坦化,沉积介质层材料并图形化出信号输入输出层的电感,溅射电感的种子层并电镀至设定厚度,整片减薄抛光实现电感的图形化及表面的平坦化,溅射金属并图形化出信号输入输出层的器件输入端和器件输出端。
7.根据权利要求6所述的多层薄膜集成无源器件的制造方法,其特征在于,所述薄膜集成无源器件层的层数为一层以上。
8.根据权利要求7所述的多层薄膜集成无源器件的制造方法,其特征在于,所述多层薄膜集成无源器件层之间信号互连处的信号耦合电感位置重叠。
9.根据权利要求7所述的多层薄膜集成无源器件的制造方法,其特征在于,所述顶层薄膜集成无源器件层与信号输入输出层信号互连处信号耦合电感位置和输入电感、输出电感位置重叠。
10.根据权利要求6所述的多层薄膜集成无源器件的制造方法,其特征在于,电感材料为金或铜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的