[发明专利]晶圆残胶清洁方法及装置有效
申请号: | 201710059923.8 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN107369609B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 郑伟呈;许耀廷;薛全萌 | 申请(专利权)人: | 万润科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 喻学兵 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆残胶 清洁 方法 装置 | ||
1.一种晶圆残胶清洁方法,包括:
一检查步骤,使待施作工件在一载台上受一检测机构检视;
一擦拭步骤,使一擦拭机构以拭材对进行擦拭;
其中,该待施作工件为一晶圆,该检查步骤及擦拭步骤系在同一机台上对在同一载台上该晶圆进行,该检测机构系逐一对该晶圆上各管芯检视其残胶状况,该擦拭机构以拭材进行擦拭系对被检出有残胶的单独个别管芯逐一进行。
2.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被该载台承接,并在该载台的一载盘上受到负压吸附而定位于该载盘上。
3.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被该载台上加热元件加热而使残胶受温热执行一由下对整片该待施作工件的热解程序。
4.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被该擦拭机构由具有热源的一第一压抵组件执行一由上对下针对单独个别管芯的热解程序。
5.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被该擦拭机构的一第一压抵组件以一移擦头压贴该拭材抵于待施作工件上管芯时,该移擦头下压的施力受到一荷重量测元件的量测。
6.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件完成擦拭步骤后,执行一以线激光测高器所投射线性激光光束对该管芯进行检查清洁是否已达预期程度的清洁检查步骤。
7.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被该擦拭机构的一第一压抵组件以一移擦头压贴该拭材抵于待施作工件上管芯时,下压的压力受一弹性元件作用而具有缓冲。
8.一种晶圆残胶清洁装置,使用如权利要求1至7任一项所述晶圆残胶清洁方法,包括:
一机台,具有一机台台面,机台台面上设有一移载区间;
一龙门轨架,将机台分隔出一第一工作区,以及一第二工作区;
一检测机构,设于朝第一工作区的该龙门轨架一侧,对第一工作区中的待施作工件进行检视;
一取放机构,设于机台该第一工作区,包括相隔间距设置的二夹座;
一载台,设于机台该第二工作区可受驱动而位移于第一工作区、第二工作区间,并自取放机构承接待施作工件或将待施作工件交付取放机构;
一擦拭机构,设于朝第二工作区的该龙门轨架一侧,设有一压抵座架及一拭材组件;该压抵座架设有一第一压抵组件,该拭材组件提供一拭材绕经其上;
该第一压抵组件可受驱动压抵拭材对载台上的待施作工件进行残胶清洁。
9.如权利要求8所述晶圆残胶清洁装置,其特征在于,该机台设有一供液机构,内容置有清洁液,设有管路将清洁液进行输送至擦拭机构一清洁液容器,该清洁液容器受该拭材组件的拭材绕经。
10.如权利要求8所述晶圆残胶清洁装置,其特征在于,该擦拭机构设有第二压抵组件,其中,第一压抵组件设有热源,二者可切换压抵拭材,以对载台上的待施作工件进行残胶清洁。
11.如权利要求8所述晶圆残胶清洁装置,其特征在于,该第一压抵组件设有微调及连动第一压抵组件的一移擦头在X轴向、Y轴向的两侧水平高度的调整组件。
12.如权利要求8所述晶圆残胶清洁装置,其特征在于,该拭材组件设有调整该拭材绕设松紧度的配重。
13.一种晶圆残胶清洁装置,包括:用以执行如权利要求1至7中任一所述晶圆残胶清洁方法的装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造