[发明专利]基板处理装置以及半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置以及半导体器件的制造方法，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向移载室内的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在第1管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在第2管道的下端。

技术领域

本发明涉及基板处理装置以及半导体器件的制造方法。

背景技术

通常，半导体器件的制造工序中使用的立式基板处理装置会在处理晶圆的处理室的下方配置用于进行晶圆向基板保持件的装填及取出的移载室。在移载室内，沿着一侧的侧壁设置有清洁单元。通过从清洁单元向移载室内吹出清洁空气，而在移载室内形成气流(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2002-175999号公报

然而，在基于上述以往技术的移载室的结构中，存在难以使基板处理装置小型化的情况。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够使基板处理装置小型化的技术。

根据本发明的一个方式，提供一种基板处理装置，其具备：

移载室，其将基板移载到基板保持件上；

上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室内的上部区域供给气体；和

下部气体供给机构，其与所述上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向所述移载室内的下部区域供给气体，

所述上部气体供给机构具有：

第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；

第1管道，其在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对；和

第1送风部，其设置在所述第1管道的下端，

所述下部气体供给机构具有：

第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；

第2管道，其形成在所述第2缓冲室的下表面；和

第2送风部，其设置在所述第2管道的下端。

根据本发明的另一个方式，提供一种半导体器件的制造方法，其具有：

在移载室内将基板移载至基板保持件上的工序；和

在处理室内处理所述基板保持件上所保持的所述基板的工序，

在所述移载的工序中，从上部气体供给机构向所述移载室内的上部区域供给气体，并从下部气体供给机构向所述移载室内的下部区域供给气体，其中，所述上部气体供给机构具有：形成在第1气体供给口的背面的第1缓冲室；在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对的第1管道；和在所述第1管道的下端设置有一对的第1送风部，所述下部气体供给机构具有：形成在第2气体供给口的背面的第2缓冲室；形成在所述第2缓冲室的下表面的第2管道；和设置在所述第2管道的下端的第2送风部，并与所述上部气体供给机构的下方相邻地设置。

发明效果

根据本发明，能够使基板处理装置小型化。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式中适用的基板处理装置的概要结构例的立体透视图。