[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一多晶硅，包含第一浓度的第一杂质并且具有第一宽度；以及

第二多晶硅，包含比所述第一浓度低的第二浓度的第一杂质，并且具有比所述第一宽度大的第二宽度，

其中：

所述第一多晶硅的温度系数的符号在所述第一浓度处改变；

所述第二多晶硅的温度系数的符号在所述第二浓度处改变；以及

所述第一多晶硅和所述第二多晶硅电连接而形成作为电阻元件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一浓度和所述第二浓度高于或等于1×10²⁰原子/cm³并且低于或等于1×10²¹原子/cm³。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一杂质是p型杂质。

4.一种半导体装置，包括：

第一多晶硅，具有负温度系数并且具有第一宽度；以及

第二多晶硅，具有正温度系数并且具有大于所述第一宽度的第二宽度，

其中：

所述第一多晶硅和所述第二多晶硅电连接而形成作为电阻元件；

所述第一多晶硅包含第一浓度的第一杂质；

所述第二多晶硅包含等于或低于所述第一浓度的第二浓度的第一杂质；以及

所述第二多晶硅与所述第一多晶硅的组成比是使得所述第一多晶硅和所述第二多晶硅连接时的温度系数的绝对值被最小化的组成比。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第一浓度和所述第二浓度高于或等于1×10²⁰原子/cm³并且低于或等于1×10²¹原子/cm³。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第一杂质是p型杂质。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

获取第一多晶硅和第二多晶硅的第一杂质的浓度与温度系数之间的关系，所述第一多晶硅具有第一宽度，所述第二多晶硅具有大于所述第一宽度的第二宽度；

基于所述关系，设定所述第一多晶硅中的所述第一杂质的第一浓度和所述第二多晶硅中的所述第一杂质的第二浓度；

形成包含所述第一浓度的第一杂质的所述第一多晶硅和包含所述第二浓度的第一杂质的所述第二多晶硅；以及

将所述第一多晶硅和所述第二多晶硅电连接而形成作为电阻元件。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中：

所述第二浓度低于所述第一浓度；

所述第一多晶硅的温度系数的符号在所述第一浓度处改变；以及

所述第二多晶硅的温度系数的符号在所述第二浓度处改变。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中：

包含所述第一浓度的第一杂质的所述第一多晶硅具有负温度系数；以及

包含所述第二浓度的第一杂质的所述第二多晶硅具有正温度系数。