[发明专利]一种梯度放大器及其调制方法

权利要求书

1.一种梯度放大器，其特征在于，包括：

多个工作半桥组，每个工作半桥组中包括两个工作半桥，每个工作半桥中分别包括两个IGBT(绝缘栅双极型晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor)，每个工作半桥中一个IGBT的发射极与另一个IGBT的集电极相连；

其中，每个工作半桥组中，每个工作半桥内的两个IGBT的连接点之间连接有梯度线圈，使得电源的输出电流流经工作半桥组中的一个工作半桥中的一个IGBT及所述梯度线圈之后，再流经工作半桥组中的另一个工作半桥中的另一个IGBT；

多个续流半桥组，每个续流半桥组中包括两个续流半桥，每个续流半桥中分别包括两个IGBT，每个续流半桥中一个IGBT的发射极与另一个IGBT的发射极相连；

其中，工作半桥组中，一个工作半桥内的两个IGBT的连接点与续流半桥组中的一个续流半桥中的一个IGBT的集电极相连，该续流半桥的另一个IGBT的集电极与该续流半桥组中另一个续流半桥中的一个IGBT的集电极相连，该续流半桥组中另一个续流半桥中的另一个IGBT的集电极与工作半桥组中另一个工作半桥内的两个IGBT的连接点相连。

2.根据权利要求1所述的梯度放大器，其特征在于，还包括：

多个组合电感；

其中，所述组合电感连接在每个工作半桥组中每个工作半桥内的两个IGBT的连接点与所述梯度线圈之间。

3.根据权利要求1所述的梯度放大器，其特征在于，还包括：

工作半桥驱动组件，与工作半桥组中每个工作半桥内的每个IGBT的门极相连，以移相加分频的方式为每个工作半桥提供驱动。

4.根据权利要求1所述的梯度放大器，其特征在于，还包括：

续流半桥驱动组件，与续流半桥组中每个续流半桥内的每个IGBT的门极相连，以移相加分频的方式为每个工作半桥提供驱动。

5.一种梯度放大器的调制方法，其特征在于，所述梯度放大器包括多个工作半桥组，每个工作半桥组中包括两个工作半桥，每个工作半桥中分别包括两个IGBT，所述梯度放大器还包括多个续流半桥组，每个续流半桥组中包括两个续流半桥，每个续流半桥中分别包括两个IGBT，所述方法包括：

以移相加分频的方式对每个所述工作半桥中的IGBT进行驱动；

以移相加分频的方式对每个所述续流半桥中的IGBT进行驱动。