[发明专利]电光学装置以及电子设备有效
申请号: | 201710060869.9 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN107068898B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 白鸟幸也 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;李庆泽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种电光学装置,其特征在于,
所述电光学装置具备反射层、半透过反射层、以及设置在所述反射层与所述半透过反射层之间且分别具有光路长度调整层及发光功能层的第一像素及第二像素,
所述第一像素的所述光路长度调整层包括第一绝缘层和亮度调整层,所述第二像素的所述光路长度调整层包括所述第一绝缘层,不包括所述亮度调整层,
所述亮度调整层包含折射率比所述第一绝缘层小的第二绝缘层、和配置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的金属层。
2.根据权利要求1所述的电光学装置,其特征在于,
所述光路长度调整层包括透光性的像素电极,
所述亮度调整层设置在所述反射层与所述像素电极之间。
3.根据权利要求1所述的电光学装置,其特征在于,
所述金属层由选自Ti、Mo、Ta、Al、Cu、Cr中的至少1种金属或者包含该金属的合金构成。
4.根据权利要求1所述的电光学装置,其特征在于,
所述第一绝缘层由氮化硅膜构成,
所述第二绝缘层由二氧化硅膜构成。
5.根据权利要求1所述的电光学装置,其特征在于,
所述第一像素以及所述第二像素具有设置在所述反射层上的增反射层。
6.一种电子设备,其特征在于,
具备权利要求1~5中任一项所述的电光学装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择