[发明专利]体声波谐振器、滤波器和体声波谐振器的制造方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基板；

第一电极，设置在基板之上；

压电主体，设置在第一电极上，并包括多个压电层，所述多个压电层中的每个包括具有掺杂材料的氮化铝；

第二电极，设置在压电主体上，

其中，所述多个压电层中的至少一个是受压压电层，所述受压压电层设置在压电主体的与第一电极直接接触的部分中，并且

其中，所述受压压电层在c轴方向上的晶格常数与所述受压压电层在a轴方向上的晶格常数的比c/a大于所述多个压电层中的另一压电层在c轴方向上的晶格常数与所述另一压电层在a轴方向上的晶格常数的比c/a。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括形成在第一电极与基板之间的气腔。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述掺杂材料包括从由钪、铒、钇、镧、钛、锆和铪组成的组中选择的一种或其组合。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述多个压电层中的每个中包含的掺杂材料的含量为1at％至20at％。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述多个压电层中的受压压电层的c轴晶格常数比所述多个压电层中的其余压电层的各自的c轴晶格常数大。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述受压压电层的密度超过3.4681g/cm³。

7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其中，与在具有相同掺杂但不存在受压压电层的另一氮化铝压电层上形成的其他压电层相比，所述多个压电层中的形成在受压压电层上的另一压电层每单位面积产生的异常生长数更少。

8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述受压压电层的折射率超过2.1135。

9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电主体的残余应力为拉应力。

10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，第一电极由从由金、钛、钽、钼、钌、铂、钨、铝、镍和铱组成的组中选择的一种或他们的合金形成。

11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，第一电极包括钼或其合金，

第一电极的晶格常数的值大于

12.一种体声波谐振器，包括：

基板；

第一电极，设置在基板之上；

压电主体，设置在第一电极上，并包括多个压电层，所述多个压电层中的每个包括具有掺杂材料的氮化铝；

第二电极，设置在压电主体上，

其中，所述多个压电层中的至少一个是受压压电层，并且

其中，所述第一电极在a轴方向上的晶格常数比在未施加应力的状态下形成的第一电极在a轴方向上的晶格常数大。

13.一种滤波器，包括：

多个薄膜体声波谐振器，被构造为信号滤波器，

其中，所述多个薄膜体声波谐振器中的至少一个为根据权利要求1至12中任一项所述的体声波谐振器。