[发明专利]发光材料元件在审
申请号: | 201710060926.3 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN107017553A | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 迪尔克·阿姆斯贝克 | 申请(专利权)人: | 欧司朗股份有限公司 |
主分类号: | H01S3/16 | 分类号: | H01S3/16;H01S3/091 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 材料 元件 | ||
1.一种发光材料元件,所述发光材料元件具有由发光材料元件物质构成的单晶(1),所述发光材料元件用于将泵浦辐射(2)至少部分地转换为转换辐射(3),
其中所述单晶(1)构成为具有多个嵌入所述单晶(1)中的散射中心(20),
然而除此之外,所述发光材料元件物质在所述单晶(1)中以单晶的形式存在,
其中用于散射所述转换辐射(3)的所述散射中心(20)嵌入所述单晶(1)中。
2.根据权利要求1所述的发光材料元件,其中所述散射中心中的每个散射中心占据各至少1μm3的体积。
3.根据权利要求1或2所述的发光材料元件,其中具有嵌入的所述散射中心(20)的所述单晶(1)占据至少1×10-3mm3的体积。
4.根据上述权利要求中任一项所述的发光材料元件,其中所述散射中心(20)中的每个散射中心形成所述单晶(1)中的离散的体积部。
5.根据权利要求4所述的发光材料元件,其中离散的所述体积部均匀地在所述单晶(1)范围内分布。
6.根据权利要求4所述的发光材料元件,其中离散的所述体积部在所述单晶(1)中设置成,使得垂直于所述单晶(1)的入射面(4)观察,散射围绕所述入射面(4)的入射区域(40)向外增加。
7.根据上述权利要求中任一项所述的发光材料元件,其中所述发光材料元件物质是铈掺杂的钇铝石榴石。
8.根据上述权利要求中任一项所述的发光材料元件,其中所述散射中心(20)是所述发光材料元件物质中的缺陷部位,除了所述缺陷部位以外所述发光材料元件物质是单晶的。
9.根据权利要求8所述的发光材料元件,其中所述缺陷部位是所述发光材料元件物质的熔化部。
10.一种照射设备,所述照射设备具有根据上述权利要求中任一项所述的发光材料元件和用于发射泵浦辐射(2)的泵浦辐射源,所述发光材料元件和所述泵浦辐射源相对于彼此设置成,使得所述发光材料元件在运行中被照射。
11.根据权利要求10所述的照射设备,其中所述泵浦辐射源是激光器(23),所述发光材料元件与所述激光器间隔开地设置成,使得所述泵浦辐射(2)在所述激光器(23)和所述发光材料元件之间光学有效地穿过气体体积、优选空气。
12.根据权利要求10所述的照射设备,其中所述泵浦辐射源是发光二极管(LED),所述发光二极管具有用于发射所述泵浦辐射(2)的发射面,其中所述发光材料元件设为与所述发射面直接光学接触。
13.一种用于制造根据权利要求8或9所述的发光材料元件或根据权利要求10至12中任一项所述的照射设备的方法,其中所述照射设备具有根据权利要求8或9所述的发光材料元件,在所述方法中,借助激光束(22)引入缺陷部位,所述激光束在所述单晶(1)之内聚焦。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述激光束(32)以脉冲的方式作用到所述单晶(1)上。
15.根据权利要求14所述的方法,其中脉冲作用以至少500Hz和最高30kHz的重复频率进行。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法,其中在引入所述缺陷部位时,将所述激光束(32)以可变的深度在所述单晶(1)之内聚焦,即产生在深度方向(41)上错开的焦点,并且附加地产生横向错开的焦点。
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