[发明专利]半导体制造工具的热反射器、热反射系统与制造系统

说明书

提供具有改善热均匀性用于一基材的热处理的一系统与装置，在一些实施例中，该系统包含一加热元件、一基材固定元件可以固定一基材，以及一反射结构可以将加热元件的热能引向固定于该基材固定元件的该基材，该反射结构包含一纹理部分，其中该纹理部分的一纹理的配置为将该热能引向该固定的基材。在一些这样的实施例中，该纹理包含一粗糙化不规则表面的配置为将该热能引向该固定的基材。在一些这样的实施例中，该纹理包含多个圆周脊结构的配置为将该热能引向该固定的基材。

技术领域

本发明涉及一种集成电路制造系统，尤其涉及一种改善热均匀度的基材热处理系统。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit,IC)产业经历快速成长。在集成电路的演进过程中，功能密度(例如每单位面积芯片的互连装置数量)逐渐增加，而几何尺寸(例如可使用制造制程制作的最小元件(或线))则减少。这种缩小制程通常通过提高生产效率与降低相关成本来提供利益。然而这样的缩小伴随设计与制造包括这些集成电路装置的复杂度增加，为了实现这些进展，需要在装置设计上进行类似的开发。

举例来说，磊晶(外延)(epitaxy)是沉积用于集成电路制造的材料的一种技术。磊晶可以用来生长半导体晶体和其他晶体结构。在一般气相磊晶制程中，目标物被加热，并供应一含有半导体的气体。如果环境维持适当，半导体沉积物以受控的方式从气体沉积到目标物上。尤其是沉积速率取决于目标物的表面温度与气体供应速度和磊晶室内压力。磊晶能够制造具有高均匀厚度的膜层，然而一旦设计节点(design node)收缩，在一种技术可被完全接受的微小偏差可能造成严重缺陷。因此，虽然磊晶沉积的一般系统与技术可满足现有的设计，但他们可能无法满足下一代集成电路的需求。为了继续满足不断增加的设计要求，在此领域与其他领域需要进一步发展。

发明内容

本揭露的一态样是提供热反射系统，其包含一加热元件、一可操作固定一基材的基材固定元件、一可操作且可将加热元件的热能引向固定基材的基材固定元件的反射结构，此反射结构具有纹理部分，以及其中纹理部分的一纹理配置为将热能引向固定的基材。

本揭露的另一态样是提供热反射器，其包含一第一部分以及从第一部分延伸的第二部分，其中第二部分包含一纹理区域配置为将反射热能引向基材的圆周区域。

本揭露的又一态样是提供制造系统，其包含多个加热元件环绕配置于一反射器以及一基材固定元件可操作固定一基材，其中反射器包含一部分具有一纹理表面配置为将多个加热元件的热能引向固定于基材固定元件的基材。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

为了让本案内容叙述更易懂，在读以下描述的时候应参照图示，要注意的是，依据实际业界的作法，许多特征并非依照比例绘制，实际上，各种特征的尺寸可能会任意的增大或缩小，以使所述更为清楚。所附的附图的说明如下：

图1绘示一根据本揭露各方面的制造系统的示意图；

图2绘示一根据本揭露各方面的磊晶制程的观察结果图；

图3绘示一根据本揭露一些实施例的上反射器透视图；

图4绘示一根据本揭露一些实施例的具有变动高度圆周脊的上反射器的部分截面图；

图5绘示一根据本揭露一些实施例的具有变动宽度圆周脊的上反射器的部分截面图；

图6绘示一根据本揭露一些实施例的上反射器的透视图；

图7绘示一根据本揭露一些实施例的上反射器的透视图；

图8绘示一根据本揭露一些实施例的下反射器的透视图；

图9绘示一根据本揭露一些实施例的具有变动高度圆周脊的下反射器的部分截面图；