[发明专利]以压电材料为IC器件的高频RBT的栅极介电质的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路器件的方法，其特征为，该方法包括：

形成包含多个传感RBT与驱动RBT的RBT于一半导体层的一上表面上，各该RBT包括一压电栅极介电层、一栅极、以及位于该压电栅极介电层的相对侧上与栅极上的一介电间隔，其中，至少一对传感RBT直接位于两组驱动RBT之间；

形成通过层间介电层分隔的多层金属层于该RBT上方；以及

形成通孔以通过该RBT上方的一介电层连接该RBT至一金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：

形成一压电介电层于该半导体层中的源极/漏极区域的上方并相邻于各该介电间隔。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该金属层为固体层并形成一一维声子晶体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：

分隔该金属层以形成一二维声子晶体。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征为，该方法还包括：

形成相邻于该驱动RBT的一组终端RBT。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：

连接一DC栅极电压至各该传感RBT的一栅极，以于该传感RBT中生成一反转状态；以及

连接一DC电压与一RF信号的一组合至该传感RBT的一源极终端、一漏极终端、或上述两者的组合，其中，该RF信号的一相位为一相邻RBT的该RF信号的一相反相位。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征为，该DC栅极电压为一N型RBT的一正DC电压以及一P型RBT的一负DC电压。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征为，该方法还包括：

连接一DC电压至各该驱动BRT的一栅极；以及

连接一RF信号至该栅极或至一源极终端、一漏极终端、或上述的组合，其中，该RF信号的一相位为一相邻RBT的该RF信号的一相反相位。

9.一种集成电路器件，其特征为，该集成电路器件包括：

包含多个传感RBT与驱动RBT的RBT，其位于一半导体层的一上表面上，各该RBT包括一压电栅极介电层、一栅极、以及位于该压电栅极介电层的相对侧上与栅极上的一介电间隔，其中，至少一对传感RBT直接位于两组驱动RBT之间；

多层金属层，其通过层间介电层分隔并位于该RBT上方；以及

通孔，其通过该RBT上方的一介电层连接该RBT至一金属层。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其特征为，该集成电路器件还包括：

一压电介电层，其位于该半导体层中的源极/漏极区域的上方并相邻于各该介电间隔。

11.根据权利要求9所述的集成电路器件，其特征为，该金属层为固体层并形成一一维声子晶体。

12.根据权利要求9所述的集成电路器件，其特征为，

该金属层是分段的，以形成一二维声子晶体结构。

13.根据权利要求12所述的集成电路器件，其特征为，该集成电路器件还包括：

一组终端RBT，其相邻于该驱动RBT。

14.根据权利要求9所述的集成电路器件，其特征为，该集成电路器件还包括：

一DC栅极电压，其连接至各该传感RBT的一栅极，以于该传感RBT中形成一反转状态；以及

一DC电压与一RF信号的一组合，其连接至该传感RBT的一源极终端、一漏极终端、或上述两者的组合，其中，该RF信号的一相位为相邻RBT的该RF信号的一相反相位。