[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一半导体模块；

第二半导体模块，其内置有第二半导体元件，所述第二半导体元件的开关电压的阈值比所述第一半导体模块的第一半导体元件的开关电压的阈值低；以及

汇流排，将所述第一半导体模块和所述第二半导体模块的各个外部端子相对于共用端子进行并联，

其中，所述第二半导体模块在所述汇流排上的连接点至所述共用端子的电流通路的电感大于所述第一半导体模块在所述汇流排上的连接点至所述共用端子的电流通路的电感。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二半导体模块在所述汇流排上的连接点到所述共用端子的电感与该连接点到所述第二半导体模块内部的第二半导体元件的电流通路的电感之和比所述汇流排上所述第一半导体模块的连接点到所述共用端子的电感与该连接点到所述第一半导体模块内部的第一半导体元件的电流通路的电感之和大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

内置于所述第一半导体模块中的第一半导体元件的开关电压的阈值与内置于所述第二半导体模块中的第二半导体元件的开关电压的阈值之差取决于从所述汇流排的共用端子到各半导体模块的连接点为止的电流通路的各电感之差。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

当内置于所述第一半导体模块中的第一半导体元件的开关电压的阈值与内置于所述第二半导体模块中的第二半导体元件的开关电压的阈值之差为1.8V时，从所述汇流排的共用端子到各半导体模块的连接点为止的电流通路的各电感之差为10nH。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具有将所述第一半导体模块和所述第二半导体模块的各个其他外部端子相对于其他共用端子进行并联的其他汇流排，

所述汇流排和所述其他汇流排配置成使电流朝相反方向流通的部分彼此对置。

6.一种权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

测定内置在多个半导体模块中的各个半导体元件的开关电压的阈值的步骤；

在多个半导体元件中，选择要内置于所述第一半导体模块中的第一半导体元件，选择开关电压的阈值比要内置于所述第一半导体模块中的第一半导体元件低的第二半导体元件用以内置于所述第二半导体模块内的步骤；

将所述第一半导体模块连接到所述汇流排上的连接点上的步骤；以及

将所述第二半导体模块连接到所述汇流排上的连接点上的步骤，以使该连接点至所述共用端子为止的电感比所述第一半导体模块在所述汇流排上的连接点至所述共用端子为止的电感大。

7.权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

组装所述第一半导体模块和所述第二半导体模块的步骤；

测定从所述汇流排的共用端子到各个半导体模块的连接点为止的电感的步骤；以及

根据从所述汇流排的共用端子到各个半导体模块的连接点为止的各电感之差，确定所述半导体元件的开关电压的阈值能够容许的差的步骤。